Увеличение - концентрация - носитель
Cтраница 3
 |
Энергетическая диаграмма р-п-пе-рехода. [31] |
Откуда следует, что при подаче прямого напряжения V О избыточная концентрация неравновесных носителей увеличивается, и ток через р - п переход в прямом направлении возрастет. Такой способ увеличения концентрации носителей называется инжекцией и, следовательно, р - п переход при подаче на него прямого напряжения инжектирует неравновесные неосновные носители заряда. [32]
При напряженности электрического поля 106 - нЮ7 в / м в полупроводнике начинают появляться дополнительные носители заряда и проводимость возрастает. Различают несколько механизмов увеличения концентрации носителей. [33]
Следует отметить, что все изложенное относится к части полупроводника, лежащей за областью объемного заряда п - п - или р - - перехода. При уменьшении или увеличении концентрации носителей в этой части приближенно сохраняется электронейтральность. В р - - переходе же, в области объемного заряда, электронейтральность не сохраняется. [34]
Обратимые изменения, как правило, являются следствием ионизации материалов и окружающей среды. Они проявляются в увеличении концентрации носителей тока, что приводит к возрастанию утечки тока, снижению сопротивления в изоляционных, полупроводниковых, проводящих материалах и газовых промежутках. Обратимые изменения в материалах, элементах и аппаратуре в целом могут возникать при мощностях экспозиционных доз 1000 Р / с. Проводимость воздушных промежутков и диэлектрических материалов начинает существенно увеличиваться при мощностях доз 10000 Р / с и более. [35]
Иными словами, при изменении концентрации носителей за счет введения донорных или акцепторных примесей произведение концентрации дырок и концентрации свободных электронов при заданной температуре остается постоянным. Это означает, что увеличение концентрации носителей одного знака влечет за собой уменьшение в концентрации носителей противоположного знака. Те носители, концентрация которых больше, называются основными и определяют величину электропроводности данного кристалла. [36]
Высокую подвижность носителей тока имеют: антимонид индия ( InSb) и арсенид индия ( InAs), эвтектические сплавы типа InSb-NiSb и InSb - QaSb, а также германий ( Ge), теллурий ( HgTe) и селенид ( HgSe) ртути, антимонид ( QaSb) и арсенид ( QaAs) галлия. Из таблицы видно, что увеличение концентрации носителей тока ведет к уменьшению температурного коэффициента сопротивления. [37]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором. [38] |
При положительном потенциале на затворе МДП транзистора с каналом n - типа происходит увеличение концентрации электронов в канале за счет привлечения их из пассивной области полупроводника и проводимость канала возрастает. Модуляцию проводимости канала за счет увеличения концентрации носителей по сравнению с исходной называют работой в режиме обогащения. [39]
С повышением удельной поверхности стекла концентрация ПАВ, отнесенная к единице поверхности, снижается, в результате чего их действие ослабляется. Поэтому можно предположить, что при увеличении концентрации носителя некоторых ПАВ, например воды, эффект их действия может быть значительно повышен. [41]
Поскольку для данного полупроводника л / зависит только от температуры, то произведение пр при данной температуре - величина постоянная. Закон действующих масс проявляется в том, что увеличение концентрации носителей одного знака приводит к усилению рекомбинации и, тем самым, к уменьшению носителей другого знака. Кроме того, для полупроводника, как и для любого твердого тела, всегда соблюдается условие электрической нейтральности. [42]
В табл. 6.2 показано изменение концентрации носителей в германии при изменении температуры. Увеличение температуры со 100 до 600 К приводит к увеличению концентрации носителей примерно на 16 порядков. [43]
Из особенностей электропроводности полупроводников вытекает ряд важных закономерностей. С увеличением температуры проводимость полупроводников увеличивается, что объясняется увеличением концентрации носителей тока, так как с увеличением температуры существенно облегчается переброс электронов из занятой зоны в незанятую зону акцепторной примеси или из занятой зоны донорной примеси в основную незанятую зону. [44]
Сплошная кривая опять-таки показывает его смещение с температурой. При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике. [45]
Страницы: 1 2 3 4