Увеличение - концентрация - носитель
Cтраница 2
Временные ( обратимые) повреждения, образующиеся за счет увеличения концентрации носителей тока при ионизации материалов. [16]
Одновременное введение в кристалл полупроводника донорных и акцепторных примесей не может привести к увеличению концентрации носителей обоих знаков. Если предположить, что концентрации и энергии активации донорных и акцепторных примесей имеют одинаковые значения, то концентрации свободных электронов и дырок также должны совпадать между собой. [17]
С ростом температуры электрическая проводимость полупроводников в отличие от металлов резко возрастает за счет увеличения концентрации носителей тока. [18]
В низкомолекулярных полупроводниках главную роль играет электронное возбуждение молекул, и рост проводимости обусловлен увеличением концентрации носителей. [19]
Увеличение общей электропроводности поликристаллических образцов с ростом их плотности, по-видимому, вызвано как увеличением концентрации носителей тока в единице объема, так и уменьшением их рассеивания на границах кристаллитов. [20]
Из приведенных данных следует, что рост электропроводности продуктов превращения ПАН с температурой обусловлен в основном эксоп-ненциальным увеличением концентрации носителей тока с температурой. Войтенко и Раскина [122] считают, что значение энергии активации, полученной на основании температурной зависимости у. [21]
При высоком уровне инжекции (2.9) наблюдается эффект модуляции сопротивления базы - уменьшение ГБ с ростом тока из-за увеличения концентрации носителей в базе. [22]
Освещение светом из собственной или примесной области поглощения приводит к изменению сопротивления базовой области как за счет непосредственного увеличения концентрации носителей ( как в фоторезисторе), так и за счет изменения параметров, определяющих распределение неравновесных носителей в базовой области, таких, как время жизни и биполярная подвижность. Изменение этих параметров приводит к изменению распределения неравновесных носителей и, следовательно, сопротивления базовой области. [23]
Из рассмотренных выше соображений становится понятной причина смещения излома прямой линии на рис. 12 в область более высоких температур с увеличением концентрации носителей. [24]
Из рассмотренных выше соображений становится понятной причина смещения излома прямой линии на рис. 12 в область более высоких температур с увеличением концентрации носителей. Все большее число фононов может при этом принимать участие в однофононном столкновении; коэффициент а в ( 30) увеличивается, а прямые линии 1 и 2 на рис. 14 становятся все круче и круче, пересекаясь с параболой 3 при все более высоких температурах. [25]
 |
Зависимость кинематической и динамической вязкости селена и теллура от температуры. [26] |
Ван-дер - Ваальса между цепями и частичным разрушением ковалентных связей между атомами в цепях, что приводит к укорачиванию цепей и увеличению концентрации носителей тока. Посмотрим теперь, какие изменения в структуре и характере химической связи происходят при нагреве селена и теллура. [27]
 |
Температурная зависимость. [28] |
Добавка бора к графиту в количестве до 0 1 % не изменяет его коэффициент теплопроводности и увеличивает электропроводность графита на 20 % за счет увеличения концентрации носителей тока. [29]
При Uэ UBU через переход начинает проходить прямой ток и в базу инжектируются неосновные носители. Увеличение концентрации носителей, происходящее в основном на участке р-п-переход - Б1, уменьшает сопротивление этого участка, вместе с тем уменьшается внутреннее падение напряжения 1 / ви. [30]
Страницы: 1 2 3 4