Cтраница 5
В бинарной системе Si - С соединение SiC является единственным. На рис. 19.3, б, в представлены части диаграммы состояния, примыкающие к кремнию и углероду. В части диаграммы со стороны кремния ( рис. 19.3, б) по оси ординат отложено уменьшение температуры ликвидуса kTL с увеличением концентрации углерода CLc в растворе. [61]