Увеличение - концентрация - электрон
Cтраница 1
Увеличение концентрации электронов каким-либо способом ( легированием полупроводника атомами металлов или же под влиянием эффекта поля) должно привеоти к уменьшению скорости адсорбции Н - атомов за счет увеличения энергии активации ( процесс 2), а, следовательно, к увеличению степени их рассеяния адсорбентом ( процесс I) и наоборот. [1]
 |
Кривая, иллюстрирующая ионизационную помеху из-за присутствия калия при пламенном опектро. [2] |
Это увеличение концентрации электронов приводит к сдвигу ионизационного равновесия рубидия в сторону образования атомов рубидия. По мере увеличения количества калия в растворе, содержащем рубидий, сигнал рубидия будет возрастать до тех пор, пока практически весь рубидий не окажется в атомном состоянии. После определенного момента добавление калия уже не приводит к дальнейшему возрастанию сигнала рубидия. [3]
 |
Изменение положения уровня Ферми при установлении равновесия между электронами зоны проводимости и дырками валентной зоны. [4] |
С увеличением концентрации электронов в зоне уровень Ферми непрерывно поднимается ко дну зоны. [5]
Физикам давно известно увеличение концентрации электронов в проводниках под действием света. [6]
Конечно, при увеличении концентрации электронов п потенциальная энергия их взаимодействия возрастает. В случае классической плазмы, где кинетическая энергия не зависит от концентрации, степень близости плазмы к идеальному газу при этом убывала. Поэтому, несмотря на увеличение потенциальной энергии, которая растет, как п отношение потенциальной энергии к кинетической убывает. Другими словами, относительная роль взаимодействия при увеличении концентрации электронов становится все меньше и меньше. Для электронов в металле более подходящим является название электронная жидкость, чем электронный газ. Тем не менее последовательная теория электронной жидкости металлов показала, что многие свойства, полученные в модели свободных электронов, качественно остаются справедливыми и при учете электронного взаимодействия. [7]
 |
Схема, иллюстрирующая зависимости Л f ( S. А. ( ( - - - -, а также критерий пробоя AZ. i / 2 ( np Д. [8] |
Таким образом, происходит увеличение концентрации электронов в зоне проводимости. [9]
Дальнейшее повышение температуры вызывает увеличение концентрации электронов за счет межзонных переходов. [10]
 |
Влияние угла возвышения ( угла паде ния на преломление радиоволн в ионосфере.| Возникновение замираний из-за интерференции пространственных волн. [11] |
При данной частоте / увеличение концентрации электронов в данном слое ионосферы приводит к увеличению скорости распространения фронта волны. [12]
Из (9.3) следует, что увеличение концентрации электронов п, вызванное введением донорных примесей, сопровождается уменьшением концентрации дырок рп. [13]
Из выражения (5.1.8) видно, что всякое увеличение концентрации электронов будет по закону действующих масс понижать растворимость вещества М в твердой полупроводниковой фазе. [14]
Ослабление зависимости R ( В) при увеличении концентрации электронов, по-видимому, связано с увеличением доли рассеяния на дефектах структуры пленок, что, в свею очередь, существенно сказывается на более подвижных носителях и приводит к уменьшению В. О большем влиянии дефектов в пленках, проявляющемся при низких температурах, свидетельствует уменьшение отношения cr4r2K / oiooK B пленках по сравнению с объемными монокристаллами, в то время как отношение ( Тюок / зоок в пленках и кристаллах примерно одинаково. [15]
Страницы: 1 2 3 4