Увеличение - концентрация - электрон
Cтраница 4
Из (4.14) следует, что учет молекулярных ионов привел к сдвигу ионизационного равновесия в сторону увеличения концентрации электронов. [46]
Ее минералогический состав представлен в основном кварцем, который лишь в незначительной своей части связывается освобождающейся при диссоциации глинистых минералов окисью алюминия в соединения типа муллита, силлиманита ( рис. 3), а обычно претерпевает только термические превращения до перехода к жидкой фазе. Работа выхода электронов из кварца сравнительно высока ( 7 эв), и поскольку в увеличении концентрации электронов в данной системе принимает участие главным образом механизм термоэлектронной эмиссии, степень ионизации мала и почти не зависит от концентрации присадки. [47]
Направление тока, при котором сопротивление запорного слоя убывает, называется пропускным направлением. Уменьшение сопротивления запорного слоя в этом случае, как уже отмечалось, вызывается уменьшением высоты потенциального барьера и увеличением концентрации электронов в нем. [48]
Это направление тока, при котором сопротивление запорного слоя убывает, называется пропускным направлением. Уменьшение сопротивления запорного слоя в этом случае, как мы уже отмечали, происходит вследствие уменьшения высоты потенциального барьера и увеличения концентрации электронов в нем. [49]
Выдающиеся исследования, которые недавно опубликовали Гернер, Грей и Стон [26], проливают дополнительный свет на механизм каталитической активности рассматриваемых окисей при температурах, близких к комнатной. Гернер и его сотрудники в своей работе над системой медь-окись меди показали, что такое образование ядер происходит очень быстро благодаря увеличению концентрации электронов на поверхности. В результате этого процесса межатомные расстояния на границе раздела металл - окись становятся ближе к требуемым для протекания поверхностной реакции, чем межатомные расстояния на первоначальной поверхности раздела. При удалении ионов кислорода с наружной поверхности пленки в виде СО2 освобождаются электроны, которые вместе с ассоциированными с ними ионами металла способны диффундировать через окисный слой, образуя фазу металла. [50]
Физически это можно объяснить следующим образом. Увеличение концентрации электронов в базе, образованных ударной ионизацией в коллекторном переходе, вызывает увеличение отрицательного заряда в базе и увеличение прямого смещения на эмиттерном переходе, что приводит к увеличению эмиттерного тока. [51]
Рассмотренные явления при большом уровне инжекции влияют по-разному на токи полупроводникового триода. Электрическое поле увеличивает дырочную составляющую тока коллектора, в то же время в результате уменьшения времени жизни она уменьшается. Увеличение концентрации электронов в области базы увеличивает электронную составляющую тока эмиттера. [52]
Рассмотренные примеси отличаются от атомов кристалла только на один валентный электрон. При этом их энергия ионизации достаточно мала, и можно считать, что вся примесь при обычной температуре ионизирована. Увеличение концентрации электронов и дырок равно концентрации атомов введенной примеси. Переходные и благородные металлы являются примесями с большой энергией ионизации и образуют глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника. Эти глубокие уровни выполняют роль центров генерации, рекомбинации и захвата носителей и оказывают влияние на время жизни носителей, о котором будет сказано ниже. [53]
Опыт показывает, что при повышении температуры и при наличии примесей сопротивление полупроводников резко уменьшается, что принципиально отличает их от металлов. Причина заключается в том, что в полупроводниках при наличии примесей или при увеличении температуры значительно возрастает концентрация электронов проводимости, что следует из опытов по определению постоянной Холла в Этих веществах. Увеличение концентрации электронов проводимости перекрывает эффект уменьшения длины свободного пробега, и сопротивление убывает. [54]
Опыт показывает, что при повышении температуры и при наличии примесей сопротивление полупроводников резко уменьшается, что принципиально отличает их от металлов. Причина заключается в том, что в полупроводниках при наличии примесей или при увеличении температуры значительно возрастает концентрация электронов проводимости, что следует из опытов по определению постоянной Холла в этих веществах. Увеличение концентрации электронов проводимости перекрывает эффект уменьшения длины свободного пробега, и сопротивление убывает. [55]
 |
Схема лазера на аргоне. [56] |
При таких токах необходимо мощное охлаждение электродов. Разрядный капилляр выполняется из кварца или керамики и требует также принудительного охлаждения. Для увеличения концентрации электронов создается продольное магнитное поле, которое, сжимая электрический разряд, изолирует его от стенок капилляра. В большинстве случаев поле создается соленоидом, охватывающим капилляр. [57]
Поскольку донорный уровень обычно только на 0 04 эв отстоит от зоны проводимости, то, как только температура увеличится относительно абсолютного нуля, донорные электроны перейдут в зону проводимости. Следовательно, концентрация свободных электронов быстро возрастает с температурой до тех пор, пока все доноры не будут ионизованы. После этого увеличение концентрации электронов в зоне проводимости возможно только за счет электронов валентной зоны. Пока температура не возрастет настолько, чтобы электроны валентной зоны имели достаточную энергию для преодоления запрещенной зоны, в степени заполнения зоны проводимости свободными электронами не происходит значительного изменения. Как только температура становится достаточной для образо вания электронно-дырочных пар, концентрация электронов начинает снова быстро расти с температурой. Однако теперь одновременно с каждым новым электроном, появляющимся в зоне проводимости, образуется и дырка в валентной зоне. Говорят, что при этих условиях полупроводник достигает собственного состояния. [58]
В, коагулянте появились макроскопические гранулы шлака ( рис. 6 6, кривые 259, 261), а в аэрозоле ( рис. 6, а, кривые 259 - 261) возросло содержание непрореагировавшей извести. Очевидно, что увеличение концентрации электронов ( проводимости) вследствие термоэмиссии из кристаллов извести и других продуктов твердофазного реагирования компенсировалось абсорбцией электронов агрегирующимися частицами шлака, поэтому результирующая проводимость плазмы оставалась постоянной или уменьшалась. [59]
При условиях эксперимента ( Тсгуй1 - - 500 С, Tzn - - 450 С) условие нейтральности в чистом ZnO, очевидно, будет определяться соотношением п - [ V6 ] ( см. разд. Внедрение лития в ZnO, очевидно, должно происходить как в междоузлия, так и в замещенные узлы; при этом концентрация Li. Только при этом условии можно действительно ожидать наблюдаемое на опыте увеличение концентрации электронов. [60]
Страницы: 1 2 3 4