Увеличение - концентрация - электрон
Cтраница 2
По расчетам авторов 772 ], при увеличении концентрации электронов и дырок от п 2 - 1016 см-3, р 0 до п р - Ю18 смГъ ширина запрещенной зоны в GaAs при Т - 300 К уменьшается на 90 мэв. [16]
Ослабление зависимости R ( В) при увеличении концентрации электронов, по-видимому, связано с увеличением доли рассеяния на дефектах структуры пленок, что, в свею очередь, существенно сказывается на более подвижных носителях приводит к уменьшению В. О большем влиянии дефектов в пленках, проявляющемся при низких температурах, свидетельствует, уменьшение отношения О4 2К / юок в пленках по сравнению с объемными монокристаллами, в то время как отношение 0юок / зоок в пленках и кристаллах примерно одинаково. [17]
Таким образом, результаты исследований свидетельствуют об увеличении концентрации электронов в межэлектродном пространстве под действием фосфора. В обсуждении авторы обращают внимание на существующие экспериментальные доказательства присутствия в пламени как нейтральных атомов, так и гидроокиси, цезия, которые находятся в некотором равновесии. Возможно, что фосфор или галоиды нарушают равновесие между Cs и CsOH, активизируя ионизацию. Гидроокись цезия реагирует с водородом. В результате образуется цезий и вода. [18]
Это является следствием сдвига ионизационного равновесия в сторону увеличения концентрации электронов, обусловленного кластеризацией ионов. Ионные кластеры Csk ( i 3 1 - число атомов в кластере) возникают в результате сильного поля-ризац. При высокой электропроводности сжимаемость плазмы близка к сжимаемости газа, что позволяет разгонять и затормаживать потоки плазмы. [20]
Из формулы ( 109) следует, что с увеличением концентрации электронов на поверхности i вероятность адсорбированной частицы находиться в реакционноспособном состоянии, - характеризуемая величиной По, проходит через максимум. Вероятность образования ковалентной связи мала при малой концентрации электронов и монотонно возрастает с ростом концентрации электронов. Вероятность образования ионной связи монотонно падает с увеличением концентрации электронного газа. [21]
Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводи-мосги. Из рис. 41 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [22]
Так как следует ожидать, что С2 увеличивается при увеличении концентрации электронов ( вследствие того, что Е ( k) все больше отклоняется от значения, соответствующего свободным электронам), то WE, по-видимому, стремится к нулю при уменьшении / V0, увеличивается при увеличении / Vа, достигает максимума и вновь стремится к нулю при заполнении зоны. При современном уровне теории, к сожалению, невозможно сделать более определенных выводов об изменении WE в зависимости от концентрации электронов. [23]
Благодаря тому, что эффективная масса электронов мала, при увеличении концентрации электронов очень быстро наступает вырождение зоны проводимости. При этом уровень Ферми поднимается выше дна зоны проводимости. [24]
Из этого уравнения следует, что уменьшение теплоты адсорбции и работы выхода или увеличение концентрации электронов в металле должно приводить к увеличению энергии активации и уменьшению скорости реакции. [25]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором. [26] |
При положительном потенциале на затворе МДП транзистора с каналом n - типа происходит увеличение концентрации электронов в канале за счет привлечения их из пассивной области полупроводника и проводимость канала возрастает. Модуляцию проводимости канала за счет увеличения концентрации носителей по сравнению с исходной называют работой в режиме обогащения. [27]
С повышением концентрации доноров уровень Ферми располагается ближе к зоне проводимости, что объясняется увеличением концентрации электронов и ростом заполнения зоны проводимости. Из рис. 43 видно, что с повышением концентрации примеси область истощения примеси начинается при более высоких температурах. [29]
Поскольку в L-долине электроны имеют большую эффективную массу и малую подвижность, то по мере увеличения концентрации электронов в L-долине средняя дрейфовая скорость электронов по всему объему кристалла уменьшается. Этот случай также представлен на рис. 2.27. Дифференциальная подвижность электронов ( dv / dE) становится отрицательной при Е 3 кВ / см. Это явление называется эффектом переноса электронов, или эффектом Ганна. Отрицательная дифференциальная подвижность в полупроводниках используется при создании твердотельных генераторов СВЧ-диапазона. [30]
Страницы: 1 2 3 4