Увеличение - потенциальный барьер
Cтраница 1
Увеличение потенциального барьера приводит к уменьшению диффузионных токов электронов и дырок, кроме того, возросшее контактное поле уменьшает число основных носителей в области объемного заряда. В результате обедненная область р-п перехода расширяется. [1]
Увеличение потенциального барьера нарушает состояние термодинамического равновесия. При этом диффузионная составляющая тока через р-я-переход уменьшается. Дрейфовая же составляющая тока не изменяется, поскольку концентрация неосновных носителей заряда определяется лишь процессом термогенерации ( § 1.2), а не уровнем напряжения. Поэтому при обратном включении p - n - перехода через него проходит обратный ток / обр, который определяется неосновными носителями и при увеличении обратносмещающего напряжения приближается к постоянному значению / о / пдр - f - / рдр. Ток / Обр / о называют тепловым током или током насыщения. [2]
 |
Прямое ( а и обратное ( б включение р-п-перехода. [3] |
Увеличение потенциального барьера приводит к уменьшению диффузионного тока и увеличению дрейфового. Результирующий ток / ья-перехода и всей замкнутой цепи совпадает с дрейфовым током. Это ток называют обратным. [4]
Для увеличения потенциального барьера, подавляющего динатронный эффект, экранирующую сетку удаляют от анода, приближая к управляющей сетке. [5]
С увеличением потенциального барьера диффузионный ток должен убывать. Однако сопротивление этого слоя велико, поскольку он обеднен основными носителями заряда. [6]
 |
Парциальные термодинамические характеристики воды ( в кал / моль в некоторых набухших высокомолекулярных веществах. [7] |
Это может быть обусловлено увеличением потенциального барьера Вращений участков молекулы в результате Взаимодействия с растворителем. Тогда энтропия полимера при набухании будет убывать, поскольку макромолекулы становятся все более и более жесткими и не могут осуществлять тех конформаций, которые были им доступны в отсутствие растворителя. Подобный случай имеет место, например, при набухании ацетата целлюлозы в тетрахлорэтане. Аналогичные явления часто наблюдаются также при набухании полярных высокомолекулярных веществ в воде. В табл. XIV, 2 приведены парциальные величины & Н, ДО [ и T & Si воды в набухших до различных степеней агаре, казеине, кератине и целлюлозе. По мнению В. А. Каргина и А. А. Тагер, при набухании всех при - - веденных веществ в результате взаимодействия молекул растворителя с макромолекулами резко увеличивается потенциальный барьер вращения, что приводит к уменьшению энтропии и возрастанию свободной энергии системы. Вследствие этого набухание прекращается на определенной степени и растворения не происходит. [8]
 |
Электродные токи в транзисторе ( а, распределение потенциала ( б и концентрации неравновесных носителей в базе при. различных токах эмиттера ( в. [9] |
При подключении обратного коллекторного напряжения происходит увеличение потенциального барьера и толщины коллекторного перехода, который увеличивается в основном за счет области базы. Он в основном определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, так как при рк Рб, концентрация неосновных носителей в коллекторе оказывается пренебрежимо малой. Ток / КБО измеряют при обратном включении коллекторного перехода и разомкнутой цепи эмиттера. [10]
 |
Электродные токи в транзисторе ( а, распределение потенциала ( б и концентрации неравновесных носителей в базе при различных токах эмиттера ( в. [11] |
При подключении обратного коллекторного напряжения происходит увеличение потенциального барьера и толщины коллекторного перехода, которцй увеличивается в основном за счет области базы. Он в основном определяется концентрацией неосновных носителей ( дырок) в базе, так как при ркРб, концентрация неосновных носителей в коллекторе оказывается пренебрежимо малой. Ток / КБО измеряют при обратном включении коллекторного перехода и разомкнутой цепи эмиттера. [12]
Легко себе представить, что по мере увеличения потенциального барьера все меньшее и меньшее количество основных носителей заряда будет в состоянии его преодолеть. Диффузионный ток через переход уменьшается с увеличением высоты потенциального барьера. Если высота барьера превысит величину gj, то ни одна дырка и ни один электрон не смогут больше преодолеть потенциальный барьер. [13]
Включение источника напряжения U2 вызывает смещение коллекторного перехода в обратном направлении и увеличение потенциального барьера на нем. Электроны из коллекторной области п-типа переходить в базу через коллекторный переход по-прежнему не могут. Включение источника напряжения f /, вызывает смещение эмиттерного перехода в прямом направлении. Электроны из эмиттерной области проходят через эмиттерныи р-я-переход в базу. Концентрация неосновных носителей в базе у границы с эмиттерным переходом резко увеличивается. [14]
Включение источника напряжения ( 72 вызывает смещение коллекторного р-л-перехода в обратном направлении и увеличение потенциального барьера на нем. Электроны из коллекторной области n - типа переходить в базу через коллекторный р-п-переход по-прежнему не могут. [15]
Страницы: 1 2 3