Cтраница 2
Диффузионный ток, наоборот, в сильной степени зависит от приложенного к переходу напряжения и уменьшается с увеличением потенциального барьера. При больших - обратных напряжениях число носителей заряда, способных преодолевать потенциальный барьер, стремится к нулю. Следовательно, диффузионный ток также стремится к нулю и полный ток, протекающий через переход в обратном направлении, стремится к значению, равному дрейфовому току. [16]
Для того чтобы преодолеть потенциальный барьер электрон должен обладать энергией WqeUK. С увеличением потенциального барьера диффузионный ток должен убывать. Однако сопротивление этого слоя велико, поскольку он обеднен основными носителями заряда. [17]
При увеличении потенциального барьера под действием внешнего источника энергии ток уже не равен нулю. Вследствие малой интенсивности термогенерации значение этого тока невелико. [18]
За нулевой потенциал на рисунке принят потенциал заземленной n - области. При увеличении потенциального барьера диффузия основных носителей затрудняется настолько, что ток диффузии уже при незначительном напряжении U практически обращается в нуль и результирующий ток р-п перехода согласно формуле ( 2 - 1) / р-п / диф - / о - Л оказывается примерно равным току насыщения неосновных носителей. [19]
При увеличении потенциального барьера под действием внешнего источника энергии ток уже не равен нулю. Вследствие малой интенсивности термогенерации значение этого тока невелико. [20]
При увеличении потенциального барьера под действием внешнего источника энергии ток уже не равен нулю. Вследствие малой интенсивности термйгенерации значение этого тока невелико. [21]
Сопротивления и емкость диффузии замыкают накоротко базу и эмиттер и таким образом значительно уменьшают входное сопротивление. Ток диффузии уменьшается с увеличением потенциального барьера между базой и коллектором. [22]
Энергия молекулярного и электростатического взаимодействий частиц одинакового размера, как следует из уравнений (VI.34) - (VI.35), прямо пропорциональна радиусу частиц. Поэтому увеличение размера частиц влечет за собой увеличение потенциального барьера и глубины вторичного минимума. [23]
При прямом направлении ( рис. 34, а) смещение зон уменьшается, так как снижается потенциальный барьер, диффузионная составляющая тока через р - n переход увеличивается, а сопротивление перехода уменьшается. При обратном направлении ( рис. 34, б) из-за увеличения потенциального барьера происходит дополнительное смещение зон и диффузионные токи прекращаются, так как энергия основных носителей заряда недостаточна для преодоления потенциального барьера. При этом ток через переход определяется только дрейфом неосновных носителей, для которых поле запирающего слоя является ускоряющим. [24]
Диффузионная составляющая тока через переход зависит от высоты потенциального барьера. Согласно распределению Ферми ( см. рис. 1 - 8) по мере увеличения потенциального барьера все меньшее количество основных носителей заряда оказывается способным преодолеть этот барьер. В предельном случае диффузионная составляющая тока с ростом высоты потенциального барьера стремится к нулю. [25]
В отличие от уротропина, резорцин практически не влияет на процесс выделения водорода, но приводит к заметному торможению разряда ионов Си2 ( рис. 2), хотя при адсорбции на ртути эта добавка смещает максимум электрокапиллярной кривой в сторону отрицательных потенциалов. По-видимому, в рассматриваемом случае, как и в других электрохимических системах, увеличение потенциального барьера для разряда ионов металла при образовании на электроде адсорбционных слоев резорцина превалирует над возможным ускорением процесса за счет смещения - потенциала в отрицательную сторону. [26]
Появление тока термогенерации / тр связано с процессами генерации и рекомбинации, подробно рассмотренными в § 4.1. В равновесном состоянии этот ток компенсируется равным по величине током рекомбинации / рек, а в неравновесном состоянии это равенство нарушается. Если приложено обратное напряжение, ток рекомбинации практически равен нулю, так как при увеличении потенциального барьера проникновение носителей в область перехода и их последующая рекомбинация затруднены. Составляющая / тг складывается с тепловым током / 0, увеличивая значение обратного тока. С ростом обратного напряжения увеличивается ширина перехода, что способствует росту генерации носителей внутри перехода и соответственно увеличению тока / тг. Величина тока термогенерации зависит от типа полупроводника. На основании этих выкладок можно сделать вывод, что обратный ток в германиевых р - - переходах обусловлен в основном тепловым током, а в кремниевых р - п-переходах - током термогенерации. [27]
У поливинилацетата цепи удалены друг от друга больше, чем у поливинилфор-миата. Однако у первого движение звеньев цепи должно тормозиться больше, чем у второго, так как боковые ацетатные группы тяжелее формиатных групп и должны создавать больший потенциальный барьер. Эффект раздвижения цепей ацетатными группами в данном случае сводится на нет увеличением потенциального барьера. [28]
Значительно больше данных опубликовано о vNH вторичных амидов. Некоторые данные для алкилпроизводных вторичных амидов были приведены Джонсом [113], а также Биром и др. [64], хотя последние авторы интересовались в основном отнесением полос низкочастотных колебаний. Первоначально кажущееся раздвоение полосы, соответствующей колебанию NH свободной связи, в спектрах многих нециклических соединений было отнесено за счет наличия цис - и транс-конфигураций группы CONH, возникающих вследствие увеличения потенциального барьера внутреннего вращения вокруг связи С-N. [29]
Из энергетической схемы р-п перехода ( см., например, рис. 9 - 17) следует, что энергия электронов проводимости в р-области всегда выше, чем в - области. Это же утверждение справедливо по отношению к электронам в валентной зоне. Поэтому всякий электрон проводимости, приблизившийся к р-п переходу со стороны р-области, немедленно скатывается в n - область. Аналогичное перемещение электронов через р-п переход в валентной зоне оказывается возможным при появлении дырки со стороны га-области. Плотность потоков неосновных носителей через р-п переход зависит от их концентрации в каждой области и от диффузионной длины L, поскольку поставлять неосновные носители, достигающие границы р-п перехода, могут лишь участки каждой области, удаленные на расстояние L. В отсутствие внешнего смещения эти потоки неосновных носителей уравновешиваются встречной диффузией основных носителей. При приложении достаточно большого обратного напряжения потоки основных носителей прекращаются из-за увеличения потенциального барьера и во внешней цепи обнаруживается обратный ток. [30]