Увеличение - рассеиваемая мощность
Cтраница 1
Увеличение рассеиваемой мощности приводит к тому, что при импульсном режиме работы транзистора во многих практических случаях удается снять с каскада требуемую мощность, не используя радиатора. [1]
 |
Характеристики транзистора П4А. [2] |
Для увеличения рассеиваемой мощности на корпус транзистора надевается дополнительный радиатор, площадь которого должна быть не менее 12 см2 на 1 em рассеиваемой мощности. [3]
Для увеличения рассеиваемой мощности широко применяются радиаторы-теплоотводы, представляющие собой алюминиевые или медные пластины толщиной порядка 2 - 5 мм. При меньшей толщине значительно возрастает тепловое сопротивление и соответственно снижается эффективность радиатора. [4]
 |
Характеристики транзистора П4А. [5] |
Для увеличения рассеиваемой мощности на корпусе транзистора предусматривается дополнительный радиатор, площадь которого должна быть не менее 12 смг на 1 вот рассеиваемой мощности. [6]
 |
Зависимости напряжения и токов в схеме элемента ТТЛ от входного напряжения. [7] |
Именно это увеличение рассеиваемой мощности и является во многих случаях тем фактором, который ограничивает предельное быстродействие этих элементов. [8]
Однако увеличение быстродействия приводит к увеличению рассеиваемой мощности ( Ра) отдельным элементом. Рассеиваемая мощность может достигнуть такого уровня, который является критичным для надежной работы элемента и который может ограничить дальнейшее увеличение степени интеграции БИС. Эта константа характеризует уровень развития технологии изготовления БИС. [9]
Однако увеличение напряжения питания связано с увеличением рассеиваемой мощности, что всегда нежелательно, а при построении микросхем неприемлемо. Поэтому в качестве формирователей тока применяют либо полевые транзисторы, работающие в пологой области выходной ВАХ, либо биполярные транзисторы по схеме с ОБ, работающие в активном режиме. Для сохранения режимов диапазон допустимых напряжений U должен быть ограничен. Граница диапазона определяется потенциалом базы биполярного или затвора полевого транзистора. [10]
Выражение ( 15) показывает, что это также влечет за собой увеличение рассеиваемой мощности. [11]
Увеличение числа ребер или штырей на поверхности неизмененных размеров также может не дать увеличения рассеиваемой мощности, несмотря на то, что теплоотдающая поверхность радиатора увеличилась. С увеличением числа ребер уменьшается расстояние между ними, что приводит к повышению температуры газа между ребрами, а следовательно, к уменьшению конвективной составляющей коэффициента теплоотдачи, а также уменьшается радиационная составляющая коэффициента теплоотдачи, так как часть излучаемой энергии претерпевает многократные отражения в пространстве между ребрами. [12]
Электрические пробои связаны с увеличением напряженности электрического поля в запорном слое, а тепловые - с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры. [13]
Первые два вида пробоя связаны с увеличением напряженности поля в р-п переходе, а тепловой - с увеличением рассеиваемой мощности ( и, следовательно, с ростом температуры) в переходе. [14]
Мощные диоды с целью отвода тепла монтируют на специальных радиаторах, изготовленных из металла, обладающего хорошей теплопроводностью; для увеличения рассеиваемой мощности используют воздушное и жидкостное охлаждение. [15]
Страницы: 1 2 3