Увеличение - рассеиваемая мощность
Cтраница 3
На рис. 6.9 и 6.10 показаны зависимости сопротивлений полупроводникового терморезистора RT и болометра Ro от рассеиваемой на них мощности. Из рисунков видно, что: а) сопротивление RT изменяется в значительно больших пределах, чем R &; б) температурный коэффициент сопротивления TKR) У терморезистора отрицательный ( сопротивление уменьшается с увеличением рассеиваемой мощности, а следовательно температуры), у болометра - положительный; в) крутизна характеристики S, а значит, и чувствительность у полупроводникового терморезистора больше, чем у болометра. [31]
Маломощные тиристоры применяются в релейных системах и коммутационных устройствах, мощные - в преобразовательных установках. Для увеличения рассеиваемой мощности тиристоры при воздушном охлаждении снабжаются радиатором, а при водяном - приваренной к корпусу металлической рубашкой. [32]
С увеличением относительной амплитуды колебаний рассеиваемая мощность быстро возрастала. Коэффициент затухания 8 примерно линейно зависел от относительной амплитуды колебаний ( фиг. Вполне возможно, однако, что увеличение рассеиваемой мощности при больших амплитудах колебаний вызывается не столько турбулизациеи жидкости, сколько подводом свежей жидкости к колеблющемуся телу посредством стационарных шлихтинговых ее течений. [33]
 |
Число ИМС, быстродействие и рассеивание тепла для средних и больших систем базовых конфигураций ( без учета памяти. [34] |
На рис. 4.3 приведена зависимость безотказности ряда средних и больших процессоров от рассеиваемой мощности. Для процессоров указано их быстродействие. На рис. 4.3 отражается различие в рассеивании тепла процессорами с одинаковой производительностью, хотя общая тенденция увеличения интенсивности отказов с увеличением рассеиваемой мощности хорошо выражена. [35]
Это первый для нас пример схемы с открытым коллектором; прочитав гл. При желании можно представить, что внешний притягивающий резистор дополняет внутреннюю схему компаратора и выступает в качестве коллекторной нагрузки для выходного транзистора п-р-п-типа. В связи с тем что выходной транзистор работает как насыщенный или разомкнутый переключатель, строгих требований к величине сопротивления резистора не предъявляют-обычно сопротивление выбирают в диапазоне от нескольких сотен до нескольких тысяч ом; небольшие величины сопротивления обеспечивают большую скорость переключения и повышают помехоустойчивость, правда за счет увеличения рассеиваемой мощности. Между прочим, несмотря на то что компараторы очень похожи на операционные усилители, в них никогда не используют отрицательную обратную связь, так как она понижает стабильность работы этих устройств ( см. разд. В то же время положительную обратную связь используют часто, вы убедитесь в этом, прочитав следующий раздел. [36]
Для удобства поиска данных транзисторы сгруппированы в справочнике как по максимально допустимой рассеиваемой мощности ( для мощных транзисторов - с применением теплоотвода), так и по частоте. В последнее время разработано большое число составных транзисторов ( транзисторов Дарлингтона), данные о них представлены в самостоятельных таблицах. В связи с различным составом параметров генераторных и переключательных ВЧ транзисторов большой мощности и СВЧ транзисторов средней и большой мощностей данные о них разделены по функциональным признакам и также приведены в самостоятельных таблицах. В пределах каждой таблицы биполярные транзисторы расположены по мере возрастания основного определяющего параметра - постоянного тока коллектора, а полевые транзисторы - по мере увеличения рассеиваемой мощности на транзисторе. В конце справочника даны указатель типов транзисторов и указатель таблиц. [37]
Имеется еще одно обстоятельство, указывающее на связь быстродействия схемы с рассеиваемой мощностью. При использовании описанной выше методики расчета обычно получаются величины RK порядка нескольких килоом. В этом случае существенное влияние на длительность переходных процессов оказывает коллекторная емкость триода. Поэтому для повышения быстродействия схемы следует уменьшать сопротивления RK. Это заставляет работать при токах / кн, больших оптимального, что ведет к увеличению рассеиваемой мощности. [38]
Страницы: 1 2 3