Увеличение - рассеиваемая мощность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Формула Мэрфи из "Силы негативного мышления": оптимист не может быть приятно удивлен. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - рассеиваемая мощность

Cтраница 2


16 Практическая схема двухкас-кадного усилителя с гальванической связью. [16]

Значительные отклонения ияпп от указанных приводят к резкому уменьшению усиления по мощности ( / Ср / / Срмакс) и увеличению рассеиваемой мощности.  [17]

В связи с тем что выходной транзистор работает как насыщенный или разомкнутый переключатель, строгих требований к величине сопротивления резистора не предъявляют - обычно сопротивление выбирают в диапазоне от нескольких сотен до нескольких тысяч ом; меньшие величины сопротивления обеспечивают большую скорость переключения и повышают помехоустойчивость, правда за счет увеличения рассеиваемой мощности. Между прочим, несмотря на то что компараторы очень похожи на операционные усилители, в них никогда не используют отрицательную обратную связь, так как она понижает стабильность работы этих устройств ( см. разд. В то же время положительную обратную связь используют часто, вы убедитесь в этом, прочитав следующий раз дег.  [18]

Ек и к, при нахождении которых следует учитывать требования статического режима [4,5], допустимой мощности рассеивания и быстродействия. Известно, что увеличение рассеиваемой мощности приводит к снижению надежности схемы.  [19]

Резервирование, если 92 7ь представляет определенный практический интерес при использовании параллельного соединения элементов. Например, для увеличения рассеиваемой мощности или в целях подбора необходимой величины сопротивления иногда непроволочные резисторы соединяют параллельно.  [20]

Уменьшение диаметра Пятна приводит к повышению V. Максимальный диаметр пятна ограничен увеличением рассеиваемой мощности.  [21]

22 Эквивалентные схемы. [22]

При повышении температуры у мощных биполярных транзисторов увеличиваются не только токи утечек, но и статический и динамический коэффициенты усиления. Это в свою очередь вызывает увеличение рассеиваемой мощности и температуры р - ге-переходов, и происходит са-моразогрев транзистора. Для стабилизации его работы в цепь эмиттера, а также между эмиттером и базой включают резисторы. Это понижает коэффициент полезного действия схем и требует применения большого числа каскадов возбуждения.  [23]

24 Формирователь импульса выборки строки с емкостной обратной связью для уменьшения времени восстановления напряжения на шинах строк после выборки. [24]

Если условие (7.3) выполнено, время восстановления может быть снижено более чем на порядок. При этом уменьшение времени восстановления достигается без увеличения рассеиваемой мощности в режиме хранения.  [25]

Для реализации наиболее благоприятного режима работы ИС необходимо выводы 7 и 9 внешне объединять. Использование только одного из выводов ведет к увеличению рассеиваемой мощности и ухудшению характеристик ИС.  [26]

Представленные выше инверторы на я-канальном или р-ка-нальном МОП-транзисторе имеют недостатки: они потребляют ток в состоянии ВКЛ и имеют относительно высокое выходное сопротивление в состоянии ВЫКЛ. Можно уменьшить выходное сопротивление ( уменьшив R), но только ценой увеличения рассеиваемой мощности, и наоборот. За исключением источников тока иметь высокое выходное сопротивление, конечно же, всегда плохо. Даже если подключенная к выходу нагрузка имеет высокое сопротивление ( например, это затвор другого МОП-транзистора), все равно возникают проблемы шумов из-за емкостных наводок и уменьшается скорость переключения из состояния ВКЛ в состояние ВЫКЛ ( хвост переключения) за счет паразитной емкости нагрузки.  [27]

28 Туннельный пробой. [28]

Различают три вида ( механизма) пробоя: туннельный ( зенеров-ский) 1, лавинный и тепловой. Первые два связаны с увеличением напряженности электрического поля, а третий - с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры.  [29]

Различают три вида ( механизма) пробоя: туннельный ( зенеров-ский) х, лавинный и тепловой. Первые два связаны с увеличением напряженности электрического поля, а третий - с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры.  [30]



Страницы:      1    2    3