Cтраница 1
Увеличение обратного напряжения приводит при некотором значении L / обр 1 / обр. В режиме пробоя переход может выйти из строя вследствие изменения структуры кристалла при нагреве. Если ток ограничен общим сопротивлением цепи, пробой носит обратимый характер. [1]
Увеличение обратного напряжения сопровождается ростом тока утечки и прямого падения напряжения. [2]
Увеличение обратного напряжения может привести к пробою р-п-пе-рехода. Под пробоем понимают явление резкого возрастания тока через переход, вызванное увеличением числа подвижных носителей заряда в обедненной области. Различают два основных вида пробоя: электрический и тепловой. В первом случае увеличение числа подвижных носителей заряда происходит за счет процессов ударной ( лавинной) ионизации атомов, во втором случае - вследствие нарушения теплового равновесия и повышения температуры полупроводника. [3]
Увеличение обратного напряжения может привести к пробою р-и-пе-рехода. Под пробоем понимают явление резкого возрастания тока через переход, вызванное увеличением числа подвижных носителей заряда в обедненной области. Различают два основных вида пробоя: электрический и тепловой. В первом случае увеличение числа подвижных носителей заряда происходит за счет процессов ударной ( лавинной) ионизации атомов, во втором случае - вследствие нарушения теплового равновесия и повышения температуры полупроводника. [4]
Увеличение обратного напряжения приводит к росту энергии ионов, бомбардирующих анод. При этом создаются условия для эмиссии электронов с анода. При хорошем состоянии поверхности анода достаточно высокое обратное напряжение может вызвать появление тлеющего разряда с последующим переходом в дуговой. При загрязненной поверхно сти анода дуговой разряд может возникнуть непосредственно. Процесс возникновения дуги в газотроне в непроводящую часть периода называют обратным зажиганием. Обратное зажигание является для прибора аварийным режимом, так как газотрон при этом теряет свои вентильные свойства. [5]
Для увеличения обратного напряжения диоды можно включать последовательно. Кроме того, для разных экземпляров обратные сопротивления различно изменяются с изменением температуры. Поэтому распределение обратного напряжения между последовательно включенными диодами происходит неравномерно и меняется с изменением температуры. Практически почти все обратное напряжение может упасть на один диод. [6]
![]() |
Устройство четырех-электродного тиратрона с термокатодом ( а, пусковые характеристики тиратрона при различных напряжениях на экранирующей сетке ( б. [7] |
Для увеличения предельных прямых и обратных напряжений в тиратрон вводят экранирующие сетки. [8]
![]() |
Зависимость времени выключения от анодного тока.| Зависимость времени выключения от обратного напряжения. [9] |
С увеличением обратного напряжения время выклю - 100 чения уменьшается, так как растет величина обратного тока и повышается интенсивность выноса носителей из базовых областей. При выключении тиристора без приложения обратного напряжения время выключения равно времени рекомбинации неравновесных носителей в базах р-п-структуры. [10]
С увеличением обратного напряжения Н05Р растет напряженность Е электрического поля р - га-перехода. При некотором критическом значении ЕЕПТ5 начинается электрический пробой р - - перехода. При ЕЕщ б энергия носителей заряда достигает столь высокого значения, что вследствие ударной ионизации начинает возрастать количество вновь образующихся электронно-дырочных пар. Этот процесс называется лавинным умножением носителей заряда. Закон увеличения носителей заряда носит экспоненциальный характер. [11]
С увеличением обратного напряжения толщина обедненного слоя возрастает, канал сужается и ток в цепи исток - сток уменьшается. [13]
С увеличением обратного напряжения запирающий слой в соответствии с ( 10 - 37) расширяется, поле § к растет, но ток через переход практически не меняется. Это объясняется тем, что градиенты концентрации неосновных носителей у границ перехода не изменяются с увеличением напряжения U, так как величины про, р 0, Lp и Ь не зависят от этого напряжения. [14]
![]() |
Вольт-фарадные характеристики электронно-дырочных переходов. [15] |