Увеличение - обратное напряжение
Cтраница 3
 |
Классификационная вольт-амперная характеристика тиристора.| Диаграмма управления ти-ристором. [31] |
При увеличении обратного напряжения до значения ( / пр наступает пробой вентиля, процесс нарастания обратного тока начинает развиваться лавинообразно, приводя к потере вентилем запирающих свойств. Явление пробоя ограничивает возможности их использования по обратным напряжениям, которые в процессе эксплуатации не должны достигать пробивного напряжения. Наиболее резко изменяется обратный ток вентиля. Чрезмерный рост температуры увеличивает обратные токи, что начинает ощущаться как потеря односторонней проводимости вентиля. Поэтому для каждого типа вентилей, определяющегося материалом полупроводника, характерна своя максимально допустимая рабочая температура. [32]
При увеличении обратных напряжений обратный ток почти равномерно возрастает за счет токов термогенерации и утечки. В довольно широкой предпробойной области характеристики становится заметным эффект размножения носителей за счет ударной ионизации. В области пробоя характеристика имеет участок с отрицательным сопротивлением. Вследствие малой площади перехода снижаются допустимая мощность рассеяния ( до 10 мет) и емкость перехода. Величины допустимых прямых токов точечных диодов не превышают 10 - 20 ма. Превышение допустимого тока приводит к переформовке и выходу контакта из строя. [33]
При увеличении обратного напряжения ток через переход приближается к постоянному значению / 0 ( Ipg Ing), названному током насыщения, или тепловым током. Термин ток насыщения связан с тем, что при обратном напряжении U0 kTlq ток перехода равен / и не зависит от приложенного напряжения. Термин тепловой ток обусловлен сильной зависимостью тока от температуры, а также тем, что он равен нулю при температуре Т 0 К. Поэтому ток / о остается постоянным в широком интервале обратных напряжений и зависит только от параметров полупроводника и температуры. [34]
При увеличении обратного напряжения емкость диодов уменьшается. [35]
При увеличении обратного напряжения мощность, выделяемая в р-п переходе, растет. Это приводит к увеличению температуры перехода, что в свою очередь стимулирует дальнейший рост обратного тока перехода и рассеиваемой мощности. Связанное с этим лавинообразное увеличение температуры ведет к выходу диода из строя. Поэтому при измерении обратной ВАХ р-п перехода необходимо обеспечить режим источника тока или поставить в цепи ограничивающее сопротивление. [36]
При увеличении обратного напряжения емкость точечных диодов можно считать практически постоянной. [37]
При увеличении обратного напряжения выше некоторого значения наблюдается существенное возрастание обратного тока. Область значений этого тока соответствует предпробойному состоянию диода. При дальнейшем увеличении t / 06p происходит пробой p - n - перехода, сопровождающийся резким увеличением обратного тока, если в цепи диода не включен токоограничиваю-щий резистор. Различают электрический ( лавинный и полевой) и тепловой пробои. [38]
 |
Структура перехода точечного диода. 1 - игла. 2 - переход. [39] |
При увеличении обратного напряжения емкость диода уменьшается. При прямом напряжении, приложенном к диоду, емкость увеличивается. Кроме перечисленных выше электрических параметров, в паспортах диодов указывают параметры предельного режима работы диода, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе. [40]
При увеличении обратного напряжения ток почти не увеличивается, так как расширяется пр-переход, а градиенты концентрации Гп ( Хр) и Гр ( хп), определяющие величину токов диффузии, остаются почти неизменными. Ток, протекающий через пр - переход при наличии обратного напряжения, называется обратным током. Этот ток очень мал поскольку создается движением неосновных носителей заряда, концентрация которых невелика. Если прямой ток составляет десятки - сотни миллиампер, то обратный ток равен десяткам - сотням микроампер. [41]
При увеличении обратного напряжения до определенной величины ( порогового напряжения f / 0gp) обратный ток тиристора, как видно из типовой вольт-амперной характеристики ( рис. 1, в), растет незначительно. [42]
При увеличении обратного напряжения ык параметр Й22э будет уменьшаться из-за уменьшения Спр и gw - Однако с увеличением Ро, как видно из ур-ния (9.79), Л22э будет увеличиваться. [43]
При увеличении обратного напряжения коллекторного перехода ( увеличении напряжения t / a) ток / ко возрастает ( за счет термогенерации и тока утечки), а это вызывает увеличение / а. Соответственно коэффициенты AI и Л2 условных транзисторов становятся больше, что согласно формуле ( 5 - 2) вызывает дальнейшее увеличение анодного тока и эмиттерных токов условных транзисторов. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5