Увеличение - обратное напряжение
Cтраница 4
Во-вторых, увеличение обратного напряжения и а вентилях может вызвать необходимость установки большего числа вентилей для увеличения надежности работы схемы, включая по два вентиля последовательно. [46]
 |
Транзистор. Транзисторы. Транзи. [47] |
По мере увеличения обратного напряжения обратный ток возрастает, но незначительно. [48]
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. [49] |
Обратный ток при увеличении обратного напряжения сначала быстро возрастает. Это вызвано тем, что уже при небольшом обратном напряжении за счет повышения потенциального барьера в переходе резко снижается диффузионный ток, который направлен навстречу току проводимости. [50]
 |
Условное обозначение стабилитрона.| Характеристика стабилитрона.| Условное обозначение варикапа. [51] |
Емкость р-и-перехода диода с увеличением обратного напряжения уменьшается. [52]
Обратный ток диода растет с увеличением обратного напряжения. Главными причинами различия обратных ветвей характеристики реального и идеального диодов являются ток т е р м о - генерации в объеме и на поверхности перехода и ток утечки по поверхности перехода. В германиевых диодах при комнатной температуре ток термогенерации мал и обратный ток близок к току насыщения. В кремниевых диодах при комнатной температуре ток термогенерации является основной составляющей обратного тока. [53]
В некоторых конструкциях обычных диодов для увеличения обратного напряжения между р - и n - областями оставляют тонкий слой с собственной проводимостью, такой, чтобы область объемного заряда распространялась на весь этот слой. Такие диоды при высокой проводимости п - и jo - обла-стей имеют высокие пробойные напряжения, так как толщина р-п-пере-хода в них определяется толщиной i-слоя и может быть сделана сравнительно большой, ибо концентрация носителей в г - слое мала. Так как г - слой у них значительно тоньше, чем в мощных диодах, то рекомбина-ционный ток в таких диодах, связанный с рекомбинацией и генерацией в самом р - - переходе, относительно мал и сказывается лишь при обратных напряжениях. [54]
Из рисунка видно, что при увеличении обратного напряжения емкость перехода падает. [55]
Показано, что формовка обратным током приводит к увеличению обратного напряжения и улучшению коэффициента выпрямления у образцов, а формовка прямым током - в ряде случаев к опрокидыванию ВАХ. Инвертированная ВАХ обладает высоким коэффициентом выпрямления, относительно большими прямыми токами. [56]
Он всегда более или менее сильно растет с увеличением обратного напряжения. Но и при малых напряжениях обратный ток больше теплового, особенно у кремниевых диодов, у которых это превышение достигает 2 - 3 порядков. Главные причины отклонения реальной обратной характеристики от идеализированной заключаются в термогенерации носителей в области перехода, поверхностных утечках, а также в явлениях, которые при достаточно большом обратном напряжении приводят к пробою перехода. Таким образом, обратный ток диода состоит из нескольких компонентов, из которых при выводе характеристики ( 2 - 33) мы познакомились лишь с одним - тепловым током. Однако и этот ток следует рассмотреть подробнее. [57]
Ток термогенерации превышает тепловой ток и возрастает с увеличением обратного напряжения. Эти зависимости приведены на рис. 4 и называются обратной ветвью ВАХ диода. [58]
Он всегда более или менее значительно растет с увеличением обратного напряжения. Но и при малых напряжениях обратный ток больше теплового, особенно у кремниевых диодов, у которых это превышение достигает 2 - 3 порядков. [59]
Из кривых рис. 50 видно, что при увеличении обратного напряжения до - 100 в ток возрастает примерно в 2 раза. Этот рост связан в основном с тепловой генерацией носителей в р - n - переходе, толщина которого возрастает с увеличением напряжения. Кроме того, рост тока может вызываться и генерацией пар самими дырками, ускоряемыми электрическим полем - именно этот эффект, который мы подробнее рассмотрим ниже, и приводит к быстрому росту тока при больших напряжениях. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5