Увеличение - степень - интеграция
Cтраница 1
Увеличение степени интеграции ведет к повышению надежности ( за счет сокращения числа паяных и сварных соединений), быстродействия и снижению стоимости. Однако последний показатель тесно связан с совершенством технологии, так как с повышением степени интеграции при неизменном уровне технологии выход годных микросхем быстро падает. [1]
Увеличение степени интеграции связано с уменьшением размеров активных и пассивных элементов, совершенствованием технологии изготовления и обработки подложек больших размеров, использованием новых, более совершенных активных элементов, обладающих технологическими и функциональными преимуществами и повышенной надежностью, что может быть достигнуто только при комплексной интеграции. [2]
Увеличение степени интеграции и компактности оборудования машины достигнуто конструкторскими решениями, основанными на использовании теплопроводящих модулей ( ТСМ), содержащих до 100 БИС. [3]
Увеличение степени интеграции БИС с фиксированными соединениями базовых элементов делает БИС специальной, пригодной для определенной разрабатываемой системы. [4]
Увеличение степени интеграции ИМС до 105 - 10& элементов на кристалл, повышение их быстродействия до I - 8 - 10 - 9 с, увеличение до нескольких десятков и даже сотен числа внешних выводов поставило перед конструкторами микроэлектронной аппаратуры задачу обеспечения очень плотной упаковки кристаллов полупроводниковых СБИС, в которой для уменьшения времени задержки сигнала кристаллы следует располагать как можно ближе друг к другу. [5]
Увеличение степени интеграции изделий микроэлектроники обусловливает необходимость повышения их надежности, что неразрывно связано с совершенствованием методов производственного контроля интегральных схем. Достигнутый уровень развития технологии, высокая интеграция и надежность ИС и БИС на основе кремния указывают на то, что в качестве основного материала для изготовления интегральных схем на ближайшие 10 - 15 лет останется кремний. [7]
Увеличение степени интеграции электронных элементов в ИО вызывает ряд проблем, решение которых усложняет проектирование БИС. Рассмотрим некоторые из них. [8]
 |
Зависимость количества типов узлов от степени интеграции. [9] |
С увеличением степени N интеграции количество типов узлов Мъ требуемое для построения схемы ЦВМ, увеличивается, достигает максимума, а затем падает. Поэтому коэффициент повторяемости узлов ЦВМ по мере увеличения степени интеграции компонентов в узле падает. [10]
 |
Блок этажерочной конструкции с миниатюрным соединителем и межблочной коммутацией, выполненной в виде шлейфа на полиимидной пленке. [11] |
С увеличением степени интеграции ИМС и миниатюризации ЭРЭ эта диспропорция возрастает: в блоках на корпусированных ИМС масса ИМС и ЭРЭ составляет 15 - 30 %, в блоках на бес-корпусных ИМС она не превышает единиц процентов, а иногда лишь долей процента. Существенный ВЫИГРЫШ В Направлении Снижения массы блоков и устранения указанной диспропорции дает использование гибких печатных схем, шлейфов и носителей на полиимидной пленке ( рис. 2.22), а также ВОЛС. [12]
Основным препятствием увеличения степени интеграции в полупроводниковых БИС являются случайное расположение дефектных элементов на полупроводниковой пластине и соответственно отличающийся от 100-процентного выход годных структур. Рассмотренные в предыдущем разделе методы создания полупроводниковых БИС основаны на индивидуальной обработке каждой полупроводниковой пластины, что резко иювышает себестоимость таких микросхем. [13]
Следует отметить, что увеличение степени интеграции базовых кристаллов ограничивается, с одной стороны, невозможностью создания кристаллов любой площади с приемлемым процентом выхода годных, с другой стороны, трудностями отвода рассеиваемого кристаллом тепла и созданием большого числа внешних выводов БИС. [14]
Эта взаимосвязь изменяется с увеличением степени интеграции микросхем. Кроме того, количество размещаемых на плате микросхем определяется допустимой тепловой мощностью, которая может быть отведена с платы. [15]
Страницы: 1 2 3 4