Cтраница 4
![]() |
Зависимость числа типов БИС. [46] |
В табл. 4.1 приведены статистические данные, показывающие зависимость между числом узлов заданной степени интеграции и общим числом узлов высокопроизводительных ЭВМ. С увеличением степени интеграции число типов узлов в системе увеличивается, а затем падает. Повторяемость узлов по мере повышения уровня интеграции уменьшается. Развитие технологии позволяет в принципе достичь такого уровня интеграции Nt, при котором полная функциональная схема ЭВМ будет реализована на одной специальной БИС. [47]
При увеличении степени интеграции ИС ( увеличении числа внешних выводов) число слоев платы уменьшается. Например, для схемы, содержащей 25 000 логических элементов, при использовании компонентов с 68 внешними выводами для соединения требуется четыре сигнальных слоя, а при увеличении числа внешних выводов до 200-только два. Число слоев МПП зависит также от конструктивного исполнения ИС. [48]
По мере увеличения степени интеграции БИС расширяется их применение в вычислительных устройствах, например в радиолокационных и связных станциях. Однако увеличение быстродействия приводит к увеличению мощности Рэ, рассеиваемой элементом. [49]
Серьезные новые задачи возникают и в оснащении все усложняющихся производств методами контроля качества продукции, особенно в применении к пластинам. По мере увеличения степени интеграции твердотельных электронных устройств все острее ощущается потребность в новых высокоразрешающих, экспрессных, высокоинформативных и автоматизированных бесконтактных методах контроля, объективно характеризующих пригодность монокристаллов и пластин для решения новых задач. Требования по количеству и размерам присутствующих в монокристаллах и на поверхности пластин дефектов ужесточаются с каждым годом, и возможности традиционных оптических и электрофизических методов контроля уже практически исчерпаны. Необходим переход на метрологию нового уровня, с использованием возможностей сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также других современных методов контроля структуры и свойств с субмикронным и нанометровым разрешением. При этом новые средства контроля должны хорошо вписываться в идеологию создания гибких, непрерывных, высокопроизводительных автоматизированных технологических линий. [50]
Вместе с тем ИМС повышенной степени интеграции обладают особенностями, осложняющими разработку аппаратуры на их основе. Возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 2 Вт / см - принудительного охлаждения. При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами, что приводит к снижению устойчивости работы устройства. [51]
Следующим фактором, влияющим на габаритные размеры блока, является также применяемая элементная база и число элементов, размещаемых в блоке, но широко выпускаемые микросхемы различной степени интеграции в сочетании с МСБ позволяют пока даже при значительном увеличении числа элементов в принципиальной электрической схеме блоков сокращать их габариты, что достигается повышением плотности упаковки элементов. Дальнейшее повышение плотности упаковки связывается с увеличением степени интеграции микросхем и МСБ и достижениями в функциональной микроэлектронике. [52]