Cтраница 2
Уменьшение себестоимости элемента при увеличении степени интеграции обусловлено тем, что затраты производства остаются примерно одинаковыми при изготовлении приборного кристалла, а количество элементов увеличивается. Повышение степени интеграции должно осуществляться до определенных пределов для каждого уровня развития технологии, так как эта величина существенно влияет на уровень выхода годной продукции. [16]
Трудоемкость разработки ИМС по мере увеличения степени интеграции резко возрастает. Усложняются размещение элементов и выполнение соединений, возрастает вероятность ошибки при совмещении различных слоев микросхемы. Разработка вручную ИМС средней степени интеграции превращается в сложную и весьма трудоемкую задачу. Возрастает число ошибок, которые трудно обнаружить в процессе проектирования и которые часто выявляются лишь после завершения разработки чертежей слоев, изготовления фотошаблонов и опытных образцов микросхем. Особенно сложной становится ручная разработка больших интегральных схем. Здесь колоссальный объем вычислительной работы и случайные ошибки разработчиков могут затянуть процесс проектирования на несколько лет. [17]
Развитие микроэлектроники, выраженное в увеличении степени интеграции, является физической основой развития вычислительной техники. В соответствии с законом Мура ( см. далее) количество транзисторов в одной микросхеме должно удваиваться. [18]
Совершенствование микропроцессоров, состоящее в увеличении степени интеграции БИС, развитии архитектуры и повышении тактовой частоты привело к тому, что вслед за МП К580ВМ80 появился МП К1810ВМ86 с более высокой производительностью. [19]
Интересно отметить, что по мере увеличения степени интеграции БИС и емкости ОЗУ системы команд стали расширяться - тенденция, характерная для традиционной архитектуры. [20]
Как было показано в § 4.5, увеличение степени интеграции БИС приводит к проблеме их малой тиражности при построении как сложных, так и простых устройств с нерегулярной структурой. Как следствие этого увеличивается номенклатура специальных ( частного применения) БИС и увеличивается стоимость электронных узлов и блоков. [21]
Данная теория предполагает управление поведением членов организации путем увеличения степени интеграции и через самоконтроль. [22]
Эти два напряжений противоречивы, так как необходимость увеличения степени интеграции интегральных схем ( ИС) заставляет отказываться от принципа универсализации комплектующих элементов и унификации структур и переходить на принцип специализации элементов и структур. Вынужденная же специализация интегральных схем приводит к необходимости увеличения их типов, так как каждая схема имеет относительно узкую область применения. Только увеличение числа таких схем позволит разработчику РЭА успешно проектировать аппаратуру различного назначения. В свою очередь увеличение числа узко специализированных ИС приводит к снижению количества схем в серийном производстве, что повышает их стоимость. [23]
Трудоемкость работ на данном этапе резко возрастает с увеличением степени интеграции ИС. Чем выше технические требования к ИС, тем сильнее оказывается необходимость учета взаимосвязи этапов проектирования. [24]
Второй подход основан на том, что при увеличении степени интеграции главными факторами, влияющими на надежность БИС, являются геометрические размеры топологии, режим контроля, температура и другие условия эксплуатации. [25]
Кроме того, необходимо учитывать то, что с увеличением степени интеграции в кристалле ( при одной и той же разрешающей способности рисунка) процент выхода годных ИМС падает, а их стоимость значительно возрастает. [26]
Основные факторы, послужившие предпосылкой создания МП БИС, - увеличение степени интеграции элементов в кри-сталле, их быстродействия, повышение требований потребителя к вычислительной технике. [27]
Развитие ИС в настоящее время идет в основном по пути увеличения степени интеграции. Наряду с улучшением характеристик и снижением стоимости обычных ИС, в которых степень интеграции относительно низка - не превышает 50 - 60, в настоящее время уже имеются ИС со средним уровнем интеграции, содержащие до 200 - 300 элементов, и большие интегральные схемы ( БИС), содержащие более 400 элементов. [28]
Деление конструкции на структурные уровни позволяет: снизить брак в производстве за счет увеличения степени интеграции неделимых узлов; организовать параллельное изготовление различных узлов, что сокращает производственный цикл изделия и облегчает организацию контроля в процессе производства; обеспечить ремонтопригодность при эксплуатации. [29]
Как уже отмечалось, для дальнейшего улучшения частотных свойств приборов, а также для увеличения степени интеграции интегральных схем, необходимо уменьшать линейные размеры активных областей полупроводниковых приборов. Однако уменьшение размеров элементов менее 0 5 - 1 мкм не представляется возможным обычными методами, так как эти размеры становятся соизмеримыми с длиной волны применяемого при фотолитографии света. [30]