Увеличение - ток - коллектор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Каждый подумал в меру своей распущенности, но все подумали об одном и том же. Законы Мерфи (еще...)

Увеличение - ток - коллектор

Cтраница 1


Увеличение тока коллектора за счет тока эмиттера, по существу, объясняется тем, что электроны эмиттерного тока приходят к коллекторному переходу и уменьшают его сопротивление. Действительно, если ток / э 0, то область коллекторного перехода имеет большое сопротивление, так как основные носители электрических зарядов удаляются от этого перехода в разные стороны. В области п электроны уходят вправо к положительному электроду, а в средней области р дырки уходят к электроду основания. По обе стороны от границы р-п перехода создаются области, лишенные основных носителей.  [1]

2 Эффект смыкания переходов в транзисторе. а - энергетическая диаграмма транзистора при небольшом напряжении на коллекторе, б - смыкание областей объемного заряда коллекторного и эмиттерного переходов. [2]

С увеличением тока коллектора при лавинном размножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора.  [3]

4 Временные диаграммы для усилителя-ограничителя с трансформаторным выходом. [4]

С увеличением тока коллектора уменьшается степень насыщения транзистора, поэтому длительность выходного импульса возрастает ненамного.  [5]

6 Явление смыкания переходов в транзисторе. [6]

С увеличением тока коллектора при умножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора.  [7]

С увеличением тока коллектора характеристики смещаются вниз в область отрицательных напряжений на эмиттере.  [8]

При увеличении тока коллектора увеличивается тепловая мощность, выделяющаяся в коллекторном переходе.  [9]

При увеличении тока коллектора ( следовательно, и тока эмиттера) вследствие повышения температуры падение напряжения на резисторе R3 увеличивается, прямое смещение на эмиттерном переходе становится меньше, а это ведет к уменьшению тока коллектора: имеет место действие, обратное действию температуры, схема стремится возвратиться в исходное состояние.  [10]

При увеличении токов коллектора и эмиттера вследствие повышения температуры падение напряжения на резисторе Кя увеличивается, прямое смещение на эмиттерном переходе становится меньше, а это ведет к уменьшению тока коллектора: имеет место действие, обратное действию температуры, схема стремится возвратиться в исходное состояние.  [11]

12 Температурная стабилизация и способы подачи напряжения смещения в усилителе на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. [12]

При увеличении тока коллектора возрастает падение напряжения на резисторе RK. Возрастание потенциала коллектора через резистор R6 вызывает увеличение потенциала базы, что приводит к смещению эмиттерного перехода в обратном направлении. В результате ток коллектора уменьшается, приближаясь к своему исходному значению. Температурная стабилизация режима транзистора с помощью отрицательной обратной связи по напряжению менее эффективна по сравнению с температурной стабилизацией с помощью отрицательной обратной связи по току.  [13]

При увеличении тока коллектора значения Аде и кцд уменьшаются.  [14]

15 Схема усилителя напряжения на транзисторе типа N-P-N. [15]



Страницы:      1    2    3    4    5