Cтраница 1
Увеличение тока коллектора за счет тока эмиттера, по существу, объясняется тем, что электроны эмиттерного тока приходят к коллекторному переходу и уменьшают его сопротивление. Действительно, если ток / э 0, то область коллекторного перехода имеет большое сопротивление, так как основные носители электрических зарядов удаляются от этого перехода в разные стороны. В области п электроны уходят вправо к положительному электроду, а в средней области р дырки уходят к электроду основания. По обе стороны от границы р-п перехода создаются области, лишенные основных носителей. [1]
С увеличением тока коллектора при лавинном размножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора. [3]
![]() |
Временные диаграммы для усилителя-ограничителя с трансформаторным выходом. [4] |
С увеличением тока коллектора уменьшается степень насыщения транзистора, поэтому длительность выходного импульса возрастает ненамного. [5]
![]() |
Явление смыкания переходов в транзисторе. [6] |
С увеличением тока коллектора при умножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора. [7]
С увеличением тока коллектора характеристики смещаются вниз в область отрицательных напряжений на эмиттере. [8]
При увеличении тока коллектора увеличивается тепловая мощность, выделяющаяся в коллекторном переходе. [9]
При увеличении тока коллектора ( следовательно, и тока эмиттера) вследствие повышения температуры падение напряжения на резисторе R3 увеличивается, прямое смещение на эмиттерном переходе становится меньше, а это ведет к уменьшению тока коллектора: имеет место действие, обратное действию температуры, схема стремится возвратиться в исходное состояние. [10]
При увеличении токов коллектора и эмиттера вследствие повышения температуры падение напряжения на резисторе Кя увеличивается, прямое смещение на эмиттерном переходе становится меньше, а это ведет к уменьшению тока коллектора: имеет место действие, обратное действию температуры, схема стремится возвратиться в исходное состояние. [11]
![]() |
Температурная стабилизация и способы подачи напряжения смещения в усилителе на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. [12] |
При увеличении тока коллектора возрастает падение напряжения на резисторе RK. Возрастание потенциала коллектора через резистор R6 вызывает увеличение потенциала базы, что приводит к смещению эмиттерного перехода в обратном направлении. В результате ток коллектора уменьшается, приближаясь к своему исходному значению. Температурная стабилизация режима транзистора с помощью отрицательной обратной связи по напряжению менее эффективна по сравнению с температурной стабилизацией с помощью отрицательной обратной связи по току. [13]
При увеличении тока коллектора значения Аде и кцд уменьшаются. [14]
![]() |
Схема усилителя напряжения на транзисторе типа N-P-N. [15] |