Увеличение - ток - коллектор
Cтраница 5
Кроме пробоя, для полупроводниковых триодов характерно явление смыкания эмиттерного и коллекторного переходов, также сопровождающееся увеличением тока коллектора и ограничивающее допустимое напряжение. Из-за несовершенства технологии толщина базы может оказаться неодинаковой в разных точках, и для расчета напряжения смыкания переходов следует брать минимальное ее значение, которое для маломощных триодов, полученных методом сплавления, составляет от 1 / 2 до 1 / 5 средней толщины базы. Для мощных сплавных триодов в связи с большей площадью переходов минимальная толщина базы составляет от 1 / 5 до 1 / 10 средней. [61]
 |
Зависимость тока коллектора / к от напряжения коллектора UK при различных значениях базы UQ и тока базы / Q ( для того же транзистора средней мощности, что и на рис, 44 - 46. [62] |
Отсюда я делаю вывод, что есчи наше равенство SRS 3 остается в силе, то при увеличении тока коллектора входное сопротивление должно снижаться. [63]
Объясните ( без формул), почему при постоянном кэ - кэ нУве личение тока базы транзистора вызывает увеличение тока коллектора. [64]
Из ф-лы (3.43) следует, что коэффициент усиления каскада увеличивается, стремясь к максимальному значению, равному So / go, при увеличении тока коллектора. [65]
Это означает, что движение системы будет отображаться на плоскостях семейств характеристик движением изображающей точки по некоторой линии MN справа налево в сторону увеличения тока коллектора. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5