Увеличение - ток - коллектор
Cтраница 3
Дальнейшее увеличение тока эмиттера не приводит к увеличению тока коллектора. Триод находится в режиме насыщения тока коллектора. С ростом тока эмиттера выше значения / Э1 будет возрастать только ток базы, так как при больших коллекторных токах напряжение на коллекторном переходе уменьшается до такой степени, что коллекторный переход отпирается и начинает инжектировать дырки в область базы. Поскольку коллекторный переход превращается из приемника дырок в источник дырок, то распределение дырок в области базы уже не будет таким, как это было представлено на рис. VI.9. Концентрацию дырок у коллектора уже нельзя будет полагать равной нулю. [31]
 |
Модель биполярного транзистора в ключевом режиме. [32] |
Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения. [33]
Граничные частоты транзистора обычно медленно растут с увеличением тока коллектора, резко падая при уменьшении его ниже определенного значения; / z2i3 также сильно падает при очень малых токах. Поэтому ток покоя коллектора широкополосных каскадов с маломощными транзисторами, работающих при малой амплитуде сигнала, обычно берут равным 2 - 3 ма, так как при меньшем токе граничная частота маломощных высокочастотных транзисторов обычно резко уменьшается. В низкочастотных каскадах предварительного усиления ток покоя коллектора берут порядка 1 ма, так как при меньшем токе у маломощных низкочастотных транзисторов Azi3 падает и ухудшается стабильность положения точки покоя. [34]
До режима насыщения увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора. При насыщении дальнейшее увеличение тока эмиттера не вызывает увеличения коллекторного тока. [35]
В процессе накопления неосновных носителей в базе транзистора происходит увеличение тока коллектора. [36]
Поскольку переключение транзистором в рассматриваемом преобразователе начинается не с увеличения тока коллектора, как в генераторе Ройера, а с уменьшения токи базы, то быстродействие преобразователя с переключающим трансформатором существенно лучше, чем в преобразователе с насыщающимся выходным трансформатором. [37]
 |
Схема усилителя с / г-параметрами. [38] |
Другим важным обстоятельством является уменьшение входного сопротивления hlle при увеличении тока коллектора. [39]
 |
Нагрузочная характеристика УНЧ.| Схема простейшего УНЧ на транзисторе с ОЭ. [40] |
В режиме насыщения дальнейшее увеличение тока эмиттера практически не вызывает увеличения тока коллектора. При переходе транзистора в режим насыщения происходит смена знака коллекторного напряжения: UK становится положительным. [41]
 |
Нагрузочная характеристика усилителя.| Схема простейшего. [42] |
В режиме насыщения дальнейшее увеличение тока эмиттера практически не вызывает увеличения тока коллектора. При переходе транзистора в режим насыщения происходит смена знака коллекторного напряжения: UB становится положительным. [43]
Момент переключения транзисторов определяется насыщением магнитопровода дросселя, что вызывает увеличение тока коллектора открытого транзистора. Мощность, рассеиваемая в дросселе, невелика, так как в течение большей части периода работы генератора по обмотке дросселя протекает лишь ток намагничивания. Это определяет легкий запуск преобразователя с нагрузкой, сопротивление которой в момент пуска практически равно нулю. [44]
Др ( / б / ко) действуют в направлении увеличения тока коллектора. Но изменение базового тока, вызванное этими источниками, имеет отрицательное ( запирающее) направление. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5