Увеличение - обратный ток
Cтраница 1
Увеличение обратного тока при длительном хранении выпрямителей в обесточенном состоянии называется расформовкой. В отличие от старения расформовка - обратимый процесс, и величина обратного тока может быть восстановлена до первоначального значения. [1]
 |
Стадии спрямления вольт-амперной характеристики. а - масштаб.| Влияние тока управления на обратную характеристику тиристора. По вертикали 50 ма / дел, по горизонтали 250 е / дел. [2] |
Увеличение обратного тока приводит к резкому повышению выделяемой тепловой мощности и дополнительному разогреву тиристора. В некоторых образцах величина дополнительной мощности достигает 50 вт. [3]
Увеличение обратного тока / ко с ростом температуры ведет к возрастанию величины постоянной составляющей тока коллектора / к. Во всех других схемах, приведенных на рис. 1 - 3, изменение постоянной составляющей тока коллектора может значительно превышать изменение обратного тока б / ко, а это может оказать весьма существенное влияние на работу транзисторного каскада. [4]
 |
Германиевый точечный диод типа Д1 - Д14. [5] |
Увеличение обратного тока может происходить также за счет возникновения проводящих мостиков по поверхности между электронным и дырочным полупроводниками вследствие загрязнения поверхности, осаждения на ней влаги или появления ионов. Эти мостики шунтируют электронно-дырочный переход, что приводит к увеличению обратного тока. [6]
Увеличение обратного тока сверх некоторого значения, определяемого допустимой мощностью, которая может рассеиваться p - n - переходом, приводит - к выходу прибора из строя. [7]
Увеличение обратного тока на участке ОА объясняется рядом причин. [8]
Увеличение обратного тока коллекторного перехода с ростом температуры вызывает возрастание общего коллекторного тока. При прохождении тока / ко по сопротивлению базового смещения происходит дополнительное изменение коллекторного тока. Действительно, увеличение тока / ко при повышении температуры приводит к увеличению напряжения на эмиттерном переходе. В результате возрастает ток эмиттера, а это вызывает еще большее увеличение коллекторного тока. [9]
При увеличении обратного тока через диод увеличивается падение напряжения на объемном сопротивлении базы диода. Таким образом, при пробое дифференциальное сопротивление диода стремится к значению, определяемому объемным сопротивлением полупроводника. [10]
Так как увеличение обратного тока ведет к нагреву р-п-перехода, на эффект ударной ионизации накладывается эффект термической генерации неосновных носителей. [11]
Лавинное умножение - увеличение обратного тока через электронно-дырочный переход при повышении обратного напряжения, связанное с дополнительной ионизацией атомов полупроводника в районе р - п перехода носителями, образующими первичный ток. Таким образом, носители обоих типов увеличивают ток обратного направления. [12]
Наблюдавшееся Пфанном [18] увеличение обратного тока формованного точечного контакта за счет концентрации донорной примеси в электродном материале можно приписать повышению пр вблизи перехода вследствие повышения концентрации доноров в р-слое. [13]
Обычно считается, что увеличение обратных токов н возникновение их нестабильности происходит в результате действия адсорбированной влаги. Трудность заключается в неоднозначности интерпретации наблюдаемых явлений. Поэтому использование таких экспериментов, как эффект поля на образцах с р - n - переходом и адсорбция газов, дающих, как и вода, положительный поверхностный заряд, кроме самостоятельного значения, должны способствовать, в частности, и выяснению проблемы воздействия воды. Дело в том, что каждый из этих методов в отношении влияния на свойства полупроводника имеет как общие с водой, так и свои специфические черты. [14]
С ростом температуры из-за увеличения обратных токов транзистора происходит его разогрев и может развиться тепловой пробой коллекторного перехода. Поэтому верхняя допустимая температура коллекторного перехода для германиевых транзисторов ограничена 80 - f - 100 C, для кремниевых 150 - - 200 С. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5