Увеличение - обратный ток
Cтраница 2
Уменьшение выпрямленного тока происходит из-за увеличения обратного тока. [16]
 |
Зависимость напряжения UK3 тензотранзистора от давления.| Конструкция тензотранзистора. [17] |
Действие прибора основано на эффекте увеличения обратного тока диода с переходом Шоттки при увеличении давления. Переход Шоттки получают путем нанесения молибдена на кремний - типа. Изменение выходного тока линейно зависит от величины давления, приложенного к молибденовому электроду. [18]
Для предохранения от влаги, вызывающей увеличение обратного тока, германиевый переход изолируют водостойким лаком и помещают в герметичный корпус. Элемент включают в цепь при помощи шпильки с гайками и гибкого кабеля с наконечником. [19]
 |
Технические характеристики германиевых силовых вентилей ( диодов. [20] |
Для предохранителя от влаги, вызывающей увеличение обратного тока, германиевый переход изолируют водостойким лаком с герметизацией корпуса. Элемент включают в цепь при помощи шпильки с гайками и гибкого кабеля с наконечником. [21]
Результатом облучения при 150 G было увеличение обратного тока, но при 1 1 - Ю16 нейтрон / см2 видимых изменений напряжения Зенера снова не наблюдали. [22]
Внешним проявлением ухудшений состояния ИМС является увеличение обратного тока коллекторного перехода за счет появления тока утечки. [23]
Уменьшение времени жизни всегда сопряжено с увеличением обратного тока и, следовательно, уменьшением обратного напряжения. [24]
Увеличение температуры окружающей среды влечет за собой увеличение обратного тока насыщения / jfSo транзистора и уменьшение напряжения БЭпр. [25]
 |
Туннельный пробой р-п-перехода. [26] |
В свою очередь увеличение температуры приводит к увеличению обратного тока и выделяющейся мощности. При определенных условиях происходит лавинообразное нарастание температуры и р-я-переход разрушается. [27]
 |
Схема образования канала поверхностной проводимости. [28] |
Возникновение канала проводимости должно вызывать, очевидно, увеличение обратного тока. [29]
При увеличении температуры окружающей среды у кремниевых диодов происходит увеличение обратного тока. Однако максимальная рабочая температура кремниевых диодов значительно выше ( 125 С), что связано с большей шириной запрещенной зоны кремния. Кремниевые диоды могут иметь пробивное напряжение около 1 000 ч - 1 500 в. У кремниевых диодов пробой объясняется лавинным процессом. С повышением температуры увеличивается тепловое рассеяние свободных носителей и уменьшается длина свободного пробега. Для приобретения носителем энергии, достаточной для ионизации валентных связей, необходимо повысить напряженность электрического поля. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5