Увеличение - обратный ток
Cтраница 3
Всегда ли наличие каналов на поверхности полупроводника приводит к увеличению обратных токов. [31]
При длительном нахождении в обесточенном состоянии у селеновых элементов наблюдается обратимое увеличение обратного тока - так называемая расформовка элементов. Вследствие этого селеновые элементы в момент включения на напряжении могут иметь обратный ток, превышающий в 5 - 10 раз нормальное его значение. Время такого потребления повышенной силы тока невелико - в пределах нескольких десятков секунд. [32]
Следствием этого является постоянное снижение прямой запирающей способности вентиля и увеличение обратного тока утечки. Однако снижение прямой запирающей способности является часто также непосредственным указанием на то, что некоторые параметры вентиля были превышены, в частности, допустимый одноразовый прямой ток или допустимое перенапряжение. [33]
С уменьшением обратного сопротивления вентилей RBo в рабочей цепи и увеличением обратного тока / Во характеристики МУС становятся положе ( см. рис. 4.12) и, очевидно, ширина релейной характеристики / у. [34]
Это явление обусловлено тем, что происходящее при повышении обратного напряжения увеличение обратного тока запертого ( среднего на рис. а) р - n - перехода вызывает увеличение коэффициента инжекции ( см. Э56) двух крайних р-п-переходов. [35]
При повышении приложенного к переходу обратного напряжения мощность рассеяния растет благодаря увеличению обратного тока. При этом температура перехода повышается и, следовательно, обратный ток и мощность рассеяния увеличиваются. [36]
 |
Вольт-амперная характеристика р-га-перехода в обратном направлении при туннельном ( - - - - - - - . [37] |
Тепловой пробой может наступить как следствие электрического пробоя, который при увеличении обратного тока переходит в тепловой. [38]
Максимальная ширина импульса ограничивается допустимой мощностью потерь в цепи управляющего электрода и увеличением обратного тока через вентиль при положительном управляющем импульсе и отрицательном анодном напряжении. Минимальная ширина импульса для одного тиристора обусловливается временами включения вентиля, нарастанием анодного тока до величины удерживающего тока и надежностью управления тиристором при работе с углами отпирания, близкими к критическому. [39]
В результате происходит снижение высоты потенциального барьера коллекторного перехода, а следовательно, увеличение обратного тока этого перехода. [40]
 |
Зависимость обратного тока от температуры при разных напряжениях. [41] |
Для предохранения селеновых выпрямителей от вредного действия влажности, которая вызывает не только увеличение обратного тока, но также иногда и прямого сопротивления вентилей, выпрямители защищаются лакокрасочными покрытиями. Такие выпрямители могут работать в условиях относительной влажности до 98 % при комнатной температуре. В особо ответственных случаях рекомендуется герметизировать выпрямители, в частности в заполненных маслом и запаянных корпусах. [42]
Влияние температуры на входные характеристики ( см. рис. 4.15 и 4.16) обусловлено увеличением теплового обратного тока эмиттерного перехода с ростом температуры, чем объясняется увеличение входного тока. [43]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток, При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [44]
 |
Форма р-п перехода в микроплоскостном диоде.| Зонная диаграмма контакта полупроводника с металлом до инверсии ( а и после наступления инверсии ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5