Увеличение - прямой ток
Cтраница 1
Увеличение прямого тока, если оно не ограничивается внешними цепями, возможно до тех пор, пока мощность, выделяющаяся в диоде, не превысит максимально допустимого для данного диода значения. При малых прямых смещениях через диод протекает сравнительно небольшой прямой ток до тех пор, пока напряжение на переходе не превысит пороговое значение, определяемое контактной разностью потенциалов между слоями р-п перехода, создающей потенциальный барьер, препятствующий протеканию тока в прямом направлении. Пороговые напряжения различных диодов несколько отличаются друг от друга и обычно составляют десятые доли вольта. Увеличение обратного смещения приводит к незначительному росту обратного тока до тех пор, пока не будет достигнуто напряжение пробоя р-п перехода. [1]
Увеличение прямого тока через диод приводит к снижению ГдИф и ослаблению шунтирующего действия СДф. При больших / Пр сопротивление диода определяется сопротивлением базы ГБ. Из-за конечного времени прохождения дырок через базу диода его ток с повышением частоты отстает по фазе от напряжения на базе. Сопротивление базы становится комплексным с индуктивной составляющей. [2]
Увеличение прямого тока включения базы h возможно за счет повышения напряжения ывх. При этом ( ф уменьшается из-за увеличения скорости нарастания тока ( см. рис. 1.226), а длительность рассасывания увеличивается вследствие накопления избыточного заряда. Длительность среза остается неизменной. При изменении сопротивления R, например уменьшении, происходит пропорциональное увеличение токов / 6, и / 62, процесс включения протекает быстрее. [3]
Для увеличения прямого тока необходимо разогреть электроны в полупроводнике, поднять их энергию. Такой разогрев может быть осуществлен с помощью электрического поля. Для этого используют пластину полупроводника сложной структуры: на пластине сильнолегированного полупроводника ( п), являющейся подложкой, выращивается тонкая пленка высокоомного кремния. На поверхность высокоомной пленки напыляются металлические контакты в виде пятен диаметром 20 - 100 мкм. В качестве контактирующего материала может быть использовано золото или молибден. Исключительно важное значение для получения высококачественного контакта имеет предварительная обработка и очистка поверхности и условия напыления. [4]
Для увеличения прямого тока диоды можно включать параллельно. [5]
При увеличении прямого тока падение напряжения в выпрямителе возрастает соответственно с крутизной вольт-амперной характеристики составляющих его вентилей. Из представленных на рис. 6 двух характеристик одна обладает большей крутизной, чем вторая. Естественно, что вентиль с большей крутизной характеристики более подходит для работы в условиях перегрузки, чем вентиль, у которого характеристика идет более полого и падение напряжения в пропускном направлении сильно возрастает. [6]
 |
Статические характеристики двухбазового диода. [7] |
Вн - Это содействует увеличению прямого тока через р-п переход. [8]
Диффузионная емкость увеличивается с увеличением прямого тока, Кроме того, она тем больше, чем больше время жизни неосновных инжектированных носителей заряда, так как при этом меньше рекомбинация и больше носителей накапливается у границы р-п-перехода. [9]
Диффузионная емкость увеличивается с увеличением прямого тока. Кэоме того, она тем больше, чем больше время жизни неосновных инжектированных носителей заряда, так как при этом меньше рекомбинация и больше носителей накапливается у границы р-и-перехода. [10]
 |
Равномерное деление обратного и прямого запираемых напряжений при последовательном соединении тиристоров. [11] |
В тех Случаях, когда увеличение полного прямого тока утечки, обусловленное наличием выравнивающих сопротивлений, должно быть устранено любой ценой [ ( например, IB радиолакациомных модуляторах, выполненных яа тиристорах), равномерное распределение напряжений между приборами. [12]
В области прямых напряжений увеличение температуры ведет к увеличению прямого тока. [13]
 |
Два варианта конструкции импульсных диодов. [14] |
Это остаточное напряжение зависит от количества инжектированных носителей и при увеличении прямого тока стремится к величине, равной высоте потенциального барьера р - / г-перехода. [15]
Страницы: 1 2 3