Cтраница 2
![]() |
Переходные процессы в импульсном диоде. [16] |
Это остаточное напряжение зависит от количества инжектированных носителей и при увеличении прямого тока стремится к величине, равной высоте потенциального барьера р-п-перехода. Остаточное напряжение исчезает, когда инжектированные носители рекомбинируют. [17]
![]() |
Последовательное и параллельное соединение диодов.| Влияние последовательного конденсатора в цепи источника сигнала. [18] |
Диоды для увеличения допустимого обратного напряжения соединяют последовательно, а для увеличения прямого тока - параллельно. Для получения необходимой величины входного напряжения выпрямителя обычно применяют трансформатор. [19]
![]() |
Структура диода ( а, изменение распределения плотности объемного заряда ( б, роля ( в и потенциала ( г в идеальном р-п-пе-реходе. [20] |
Явление рекомбинации в запорном слое приводит к эффекту задержки напряжения на прямой ветви вольтамперной характеристики при увеличении прямого тока. [21]
Влиянием сопротивления rs объясняется тот факт, что вольтамперная характеристика диода, экспоненциальная в начальной части, при увеличении прямых токов выходит на линейный участок. [22]
Запускающий импульс положительной полярности, поступая через конденсатор С на управляющий электрод тиристора, вызывает появление и дальнейшее, по мере нарастания фронта запускающего импульса, увеличение прямого тока управляющего электрода. Вследствие этого напряжение включения тиристора ( см. рис. 7.16) снижается. [23]
![]() |
Трансформаторная связь фотодиода в вентильном режиме с нагрузкой. [24] |
Как доказал эксперимент, Rn фотодиодов ФД-1 достигает 600 - 1 500 ом ( у остальных типов оно редко достигает 60 - 70 ом), причем уменьшается с увеличением прямого тока или фототока. [25]
Как показал эксперимент, Rn фотодиодов ФД-1 достигает 600 - 1 500 ом ( у остальных типов оно редко достигает 50 - 70 ом), причем уменьшается с увеличением прямого тока или фототока. [26]
Увеличение концентрации носителей, происходящее главным образом в нижней части базы ( рис. 2 - 29), приводит к уменьшению ее сопротивления, причем уменьшается и внутреннее падение напряжения Um - Это содействует увеличению прямого тока через р-п переход. [27]
Отклонения характеристик прямого падения напряжения оказывают сильное влияние на распределение нагрузок между вентилями при параллельном соединении их. При увеличении прямого тока на общее падение напряжения в вентиле все большее влияние оказывает падение напряжения в объеме полупроводника. [28]
При увеличении прямого тока возрастает роль рекомбинации в области базы. При этом, поскольку доля безызлуча-тельной рекомбинации относительно велика, т стремится к единице. При дальнейшем увеличении тока роль излу-чательной рекомбинации возрастает и становится основной. [29]
Более сложные соединения диодов имеются в силовых диодных сборках. В них для увеличения прямого тока диоды соединяют параллельно, для увеличения обратного напряжения - последовательно и часто осуществляют соединения, облегчающие применение диодов в конкретных выпрямительных устройствах. Так, выпрямительные мосты на кремниевых диодах специально предназначены для использования в однофазных и трехфазных мостовых выпрямителях. [30]