Увеличение - прямой ток
Cтраница 3
Так, при увеличении прямого тока, проходящего через диод до переключения на обратное напряжение, время восстановления обратного сопротивления увеличивается, что вызвано необходимостью рассасывания большего количества накопленных в базе неосновных носителей заряда. Однако если выброс обратного тока при переключении диода вызван перезарядкой барьерной емкости ( см. § 3.18), то время перезарядки возрастает с увеличением обратного напряжения, что соответствует увеличению времени восстановления обратного сопротивления диода. [31]
Диоды из германия чувствительны к изменениям температуры окружающей среды. При ее повышении до 70 С обратный ток увеличивается примерно в три раза; увеличение прямого тока с повышением температуры выражено не так резко. При понижении температуры до - 50 С прямой ток диода уменьшается до 70 % от значения, указанного в качестве номинального ( допустимого) при 20 С; обратный ток падает менее заметно. [32]
При комнатной температуре требуется прямое напряжение 1 2 е, чему соответствует ток через прибор около 100 ма. Мощность излучения диода возрастает не только с понижением температуры диода, но и с увеличением прямого тока через него. Диод может быть модулирован СВЧ колебаниями путем изменения прямого тока. Параметры других аналогичных диодов близки к приведенным. [33]
Когда р-п - р - - структура находится в проводящем состоянии, все три перехода смещены в прямом направлении, как это было показано на фиг. Поэтому обе базы и в некоторых случаях одна или обе эмиттерные области содержат избыток неосновных и основных носителей заряда, который возрастает с увеличением прямого тока. Чтобы переключить прибор обратно в запертое состояние, этот накопленный избыточный заряд1) нужно удалить посредством электрического поля или путем рекомбинации. С точки зрения схемы процесс выключения обычно начинается при уменьшении нагрузочного тока до значений, меньших поддерживающего тока, или при изменении направления тока через структуру. Другая возможность выключения состоит в устранении тока управления. Но этот метод ограничивается малыми токами или специально сконструированными приборами ( разд. [34]
 |
Устройство р-я-переходов точечных ( а, сплавных ( б, диффузионных ( в диодов. [35] |
Инерционность запирания диода связана с эффектом накопления носителей заряда, который заключается в следующем. При протекании через диод прямого тока через р - n - переход осуществляется инжекция носителей и образуется избыточная концентрация неосновных носителей, возрастающая с увеличением прямого тока. При переключении напряжения на обратное эти неосновные носители в первый момент увеличивают обратный ток и способствуют снижению обратного сопротивления. Постепенно концентрация неосновных носителей уменьшается за счет рекомбинации и ухода через р - n - переход. После окончания рекомбинации обратное сопротивление и ток восстанавливаются до стационарных значений. Кроме того, на инерционность диода в импульсном режиме оказывает влияние барьерная емкость, уменьшение которой может быть достигнуто уменьшением площади р - я-перехода. [36]
Устройство, состоящее из двух полупроводников различной проводимости, называется полупроводниковым диодом. Первый квадрант вольт-амперной характеристики полупроводникового неуправляемого диода ( рис. 41) характеризует работу диода в прямом направлении; при этом приложенное к диоду напряжение в прямом направлении 1 / р, , вызывает увеличение прямого тока / лр через р - - переход. Обратный ток / обр зависит от температуры окружающей среды и приложенного обратного напряжения. При достижении равенства обратного напряжения Ua6o напряжению пробоя U щ л в р - / г-переходе полупроводникового диода происходит увеличение выделяемой мощности. Это приводит к увеличению его температуры и повышению концентрации неосновных носителей, что вызывает резкое увеличение значения обратного тока / 05Р н пробой диода. [37]
 |
Зависимость температурного коэфф. напряжения стабилизации от напряжения стабилизации. [38] |
Ra ( рис. 2) и может быть использована для целей стабилизации напряжения. При увеличении прямого тока от единиц до десятков ма ТКНп уменьшается примерно до 1 4 мв град. При небольших прямых токах / пр, когда еще не сказывается влияние омич. [39]
 |
Вольтамперные характеристики кремниевых стабилитронов при 20 ( сплошные и 60 ( пунктирные.| Зависимость температурного коэфф. напряжения стабилизации от напряжения стабилизации. [40] |
Ru ( рис. 2) и может быть использована для целей стабилизации напряжения. При увеличении прямого тока от единиц до десятков ма ТКНп уменьшается примерно до 1 4 мв град. Rdnp), зависит от прямого тока - уменьшается при его увеличении. При небольших прямых токах / цр, когда еще не сказывается влияние омич. [41]
Сопротивление базы определяется распределенным сопротивлением кристалла. За счет сопротивления базы вольтамперная характеристика при больших прямых токах переходит в прямую и о линию. Следует иметь в виду, что с увеличением прямого тока сопротивление базы уменьшается, так как база заполняется носителями. Этот эффект называют модуляцией проводимости базы. [42]
В области p - n - перехода нарушается равномерное распределение носителей заряда в кристалле и образуется два объемных заряда разного знака. Эту зависимость характеризуют емкостью p - n - перехода ( Q CU), которая увеличивается с увеличением прямого тока. [43]
Выпрямительные диоды подразделяют на диоды малой ( f пр. Выпрямительные диоды большой мощности называют силовыми вентилями и обозначают буквой В. Для повышения допустимого обратного напряжения выпускают высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно Кроме того, производством серийно выпускаются выпрямительные блоки, имеющие как последовательное, так и параллельное ( для увеличения прямого тока) соединение диодов. [44]
Наружный слой закиси меди содержит в избытке атомы кислорода и обладает дырочной проводимостью. Между этими слоями образуется р - - переход. На рис. 5.34 изображено устройство селенового диода. Пластина металла ( алюминия или стали) / покрывается слоем другого металла 2, обеспечивающего хороший контакт с селеном, например, висмутом. Последние вводятся в селен для увеличения прямого тока через диод. Далее на поверхность селена наносится верхний электрод 4 из сплава El, Pb, Cd. В результате последней операции в селене образуется р - - переход. После всего этого селеновый диод подвергается формовке в целях улучшения его выпрямительных свойств. Формовка производится путем более или менее длительной подачи на диод напряжения в запирающем направлении. Прямым направлением для селенового диода такого типа является направление, соответствующее положительному полюсу источника на основе ( пластинке с селеном), отрицательный - на верхнем электроде. [45]
Страницы: 1 2 3