Cтраница 1
Увеличение коллекторного тока с увеличением температуры вызывает дополнительный нагрев транзистора, что ведет к дальнейшему росту начального коллекторного тока / ко. Этот процесс будет нарастать, в результате чего может произойти тепловой пробой. [1]
Для увеличения коллекторного тока г к величину базового тока ( б стремятся сделать как можно меньше. [2]
![]() |
Схема мульти - ния да базе Тг увеличивается. [3] |
С увеличением коллекторного тока ГК1 возрастает напряжение на коллекторе TI. [4]
![]() |
Дифференциальный усилитель с комплементарной каскодной схемой. [5] |
При увеличении коллекторного тока ICi коллекторный ток / сз уменьшается. [6]
При температурном увеличении коллекторного тока растет падение напряжения на RK и напряжение ик падает; ток базы и напряжение на эмиттерном переходе уменьшаются и снижают отклонение коллекторного тока. [7]
В результате увеличения коллекторного тока повышается потенциал коллектора. Положительный перепад напряжения через форсирующий конденсатор С передается на базу закрытого выходного транзистора. Стадия подготовки оканчивается в тот момент, когда напряжение на базе выходного транзистора повысится настолько, что его напряжение база - эмиттер превысит напряжение закрывания t / бэо, с некоторым запаздыванием Д: / 2 - А 1 появится прямой коллекторный ток, а коэффициент усиления петли положительной обратной связи при открывании обоих транзисторов, повышаясь, превзойдет единицу. [8]
Произведение а / э отражает увеличение коллекторного тока за счет диффузионной составляющей. Коэффициент а называют коэффициентом передачи транзистора по току в схеме с общей базой. Ввиду малой ширины базы и большой площади коллекторного р-л-перехода большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p - n - перехода. Поэтому значение а близко к единице, однако всегда несколько меньше ее, поскольку некоторая часть неосновных носителей все-таки рекомбинирует в базе. [9]
Произведение а / э отражает увеличение коллекторного тока за счет диффузионной составляющей. Коэффициент а называют коэффициентом передачи по току в схеме с общей базой. Поэтому значение а близко к единице, однако всегда несколько меньше ее, поскольку некоторая часть неосновных носителей все-таки рекомбинирует в базе. [10]
При уменьшении напряжения на коллекторе за счет увеличения коллекторного тока с ростом температуры уменьшается напряжение на У. В отличие от предыдущей схемы здесь имеется отрицательная обратная связь и по переменному току, что приводит к уменьшению коэффициента усиления. [11]
![]() |
Влияние токо-стабилизирующего резистора Лз змиттерной цепи на схему питания. Т Т0Т2, 3 /. з, а. [12] |
В результате этого возникает реакция, препятствующая увеличению коллекторного тока. [13]
![]() |
Семейство выходных характеристик. [14] |
Из рис. 4.6 видно, что с увеличением коллекторного тока оно уменьшается, так как наклон характеристики увеличивается. [15]