Увеличение - коллекторный ток
Cтраница 3
Очевидно, важным условием возникновения колебаний является то, что фаза напряжения иБЭ должна быть такой, чтобы увеличение напряжения ик вызывало увеличение коллекторного тока / к и тем самым новое увеличение ик. [31]
Во время заряда емкости увеличивается отрицательное напряжение на базе транзистора, что приводит к дальнейшему увеличению тока базы, а следовательно, к увеличению коллекторного тока, пока транзистор находится в активной области. [32]
 |
К выбору оптимального режима работы транзисторного каскада предварительного усиления. [33] |
Доп к; это делается для того, чтобы учесть уменьшение неискаженной величины UKm за счет перемещения рабочей точки А влево по прямой R K при повышении температуры и увеличении коллекторного тока на Л / к. Нижнюю границу также целесообразно провести не на высоте Л / к. [34]
Выходное сопротивление насыщенного триода очень мало. Поэтому увеличение коллекторного тока ( или уменьшение его, если при этом сохраняется состояние насыщения) не меняет выходного наг ряжения. [35]
Существенным недостатком полупроводниковых усилителей является зависимость их параметров от температуры. При увеличении коллекторного тока на величину Д / к коллекторное напряжение уменьшается ( по абсолютной величине) на UK RK & IK. Это вызывает смещение рабочей точки усилителя. [36]
Подключение на выход ИЛИ - НЕ нескольких последовательных нагрузок соответствует подсоединению параллельно У. При увеличении коллекторного тока свыше допустимого транзистор выходит из состояния насыщения и нарушается правильная работа элемента. Чрезмерное увеличение коллекторного тока транзистора ведет к его пробою. [37]
При увеличении коллекторного тока сопротивление коллекторного перехода уменьшается и распределение напряжения источника Ек между сопротивлением нагрузки и сопротивлением коллекторного перехода изменяется: на сопротивлении коллекторного перехода оно уменьшается, а на сопротивлении нагрузки, наоборот, возрастает. [38]
Транзистор TI ( ГТ328А) первого каскада УВЧ специально разработан для каскадов, работающих с АРУ. При увеличении коллекторного тока этого трамин-стора уменьшается коэффициент его усиления. [39]
Вспомним, что для обеспечения закрывания транзистора было решено не допускать возрастания отрицательного напряжения его базы более - 0 1 в. Это предотвращает увеличение коллекторного тока до величины, превышающей ток утечки коллектора 54 мка ( стр. Тогда, если провести нагрузочную линию тока 1 ма ( 5 ком, связанные с - 5 в) на фиг. Следовательно, если TI закрыт ( фиг. R, достаточен чтобы управлять 1000 / 60 9Е 16 базами. [40]
Миллиамперметр снова должен показать увеличение коллекторного тока до 20 - 25 ма тогда, значит, электронное реле работает исправно. [41]
 |
Структура эмиттера мощного биполярного транзистора. [42] |
При увеличении температуры концентрация носителей в высокоомной области транзистора, возникших вследствие термогенерации, может превысить концентрацию примеси, и р-п переход практически исчезнет; работа транзистора нарушится. Рост температуры приводит также к увеличению коллекторного тока в закрытом состоянии транзистора и остаточного напряжения на транзисторе в режиме насыщения, а также к снижению быстродействия. [43]
При работе на больших сигналах параметры транзистора изменяются. Величина входного сопротивления транзистора уменьшается с увеличением коллекторного тока, поэтому наблюдаются искажения, вносимые входной цепью. Величина искажений зависит от сопротивления источника сигнала. Чтобы нелинейные искажения в каскаде с общим эмиттером были минимальны, сопротивление источника сигнала должно быть мало по сравнению с входным сопротивлением транзистора. [44]
До режима насыщения увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора. При насыщении дальнейшее увеличение тока эмиттера не вызывает увеличения коллекторного тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5