Увеличение - коллекторный ток
Cтраница 4
 |
Зависимость коэффициента усиления по току от тока эмиттера для кремниевого транзистора. [46] |
Дырки, попадая в ускоряющее поле коллекторного перехода, могут приобрести скорость, достаточную для того, чтобы вызвать ударную ионизацию. В этом случае будет происходить процесс умножения числа носителей, приводящий к увеличению коллекторного тока. [47]
 |
Дифференциальный усилитель с кас-годной схемой. [48] |
Чтобы при таком малом коллекторном сопротивлении можно было обеспечить заданный коэффициент усиления по напряжению, необходима высокая крутизна, т.е. большой коллекторный ток. Его предельное значение определяется рассеиваемой мощностью транзисторов и снижением частоты / т - при увеличении коллекторного тока. [49]
Область насыщения соответствует открытому состоянию транзистора. Под насыщением транзистора понимается такой режим, когда увеличение тока в цепи базы не вызывает увеличения коллекторного тока, величина которого определяется напряжением источника питания и сопротивлением нагрузки. При этом в базу транзистора вносится столь большое количество неосновных носителей, что изменение тока коллектора в определенных пределах не дает существенно-то увеличения сопротивлений транзистора. [50]
Нагрузочная прямая пересекает эту характеристику в точке / / К1, ыкэ Е - / к1 к - Напряжение кэ стало меньше значения икэ в режиме отсечки. Дальнейшее увеличение базового тока ( / б / оа, / б / бз) приводит к увеличению коллекторного тока. Условие кВ / б соответствует режиму насыщения. [51]
Одинаковые изменения напряжений на базах транзисторов р-п - р - и n - p - n - типов приводят к противоположным изменениям их коллекторных токов. Значит, если соединить базы транзисторов р-п - р - и n - p - n - типов, то положительная полуволна напряжения будет вызывать увеличение коллекторного тока второго транзистора и одновременное уменьшение коллекторного тока первого транзистора. [52]
 |
Режимы работы транзисторов по постояному току и уровни напряжения сигнала в гранте усиления радиолы Бригантина. [53] |
Для обеспечения высокой чувствительности приемника при глубоком разряде батарей источника питания ( до 30 %) напряжение смещения базовых цепей транзистора 7 преобразователя частоты и транзисторов 72 и 7 3 усилителя ПЧ стабилизировано при помощи селенового диода иг типа 7ГЕ2А - С, имеющего опорное напряжение 1 5 0 1 в. Кроме того, применение опорного диода повышает температурную стабильность преобразователя и усилителя ПЧ, так как с ростом температуры опорное напряжение диода понижается, следовательно, уменьшается и смещение на базах транзисторов Ti - Тз, препятствуя увеличению коллекторного тока этих транзисторов. [54]
Как видно из графика, коэффициент усиления по току ki относительно мал при малом токе коллектора / к, резко возрастает с его увеличением, достигая максимума, а затем постепенно падает, причем чем меньше сопротивление нагрузки, тем менее заметно уменьшение величины kt с ростом тока. Малое значение коэффициента усиления по току при малом коллекторном токе объясняется относительно большой долей тока рекомбинации неосновных носителей в базовой области. С увеличением коллекторного тока коэффициент kt растет вследствие увеличения диффузионной составляющей тока неосновных носителей в базе и увеличения эффективности эмиттера. Последующее уменьшение коэффициента усиления с ростом тока / к объясняется ограниченностью инжекционной способности эмиттера. [55]
Существенным недостатком транзисторов является зависимость их параметров от температуры. При повышении температуры транзистора увеличивается коллекторный ток за счет возрастания числа неосновных носителей заряда в полупроводнике. При увеличении коллекторного тока на Д / к коллекторное напряжение уменьшается на & UKRR Д / к. Это вызывает смещение рабочей точки на коллекторной ( рис. 5.8) и переходной характеристиках. [56]
Однако появление коллекторного тока при включении транзистора Ti задерживается на некоторый промежуток & ti в связи с конечной скоростью протекания диффузии носителей заряда в базовой области. Через время Д / i появляется прямой коллекторный ток входного транзистора, который затем увеличивается по закону, близкому к экспоненциальному. В результате увеличения коллекторного тока повышается потенциал коллектора. Положительный перепад напряжения через форсирующий конденсатор С передается на базу закрытого выходного транзистора. [57]
На рис. 4.35, в изображена зависимость тока в нагрузке от напряжения управления иу. Вследствие нелинейности сопротивления перехода эмиттер-база зависимость тока в нагрузке гн от управляющего напряжения у имеет нелинейный характер. В транзисторе р-п - р увеличение коллекторного тока происходит при увеличении отрицательного потенциала базы транзистора относительно эмиттера. [58]
На рис. 10.1 представлен простейший вариант схемы блокинг-генератрра с коллекторно-базовой связью, работающего в ждущем режиме. Включение обмоток трансформатора, показанное на рисунке точками, обеспечивает положительную обратную связь. Действительно, при отпирании транзистора запускающим импульсом увеличение коллекторного тока создает на базовой обмотке напряжение, которое способствует дальнейшему росту базового, а следовательно, и коллекторного тока транзистора. При коэффициенте усиления K t 1, как было показано в гл. [59]
На рис. 2.2 показана упрощенная схема к блокинг-генератора. Зажимы трансформаторов включают так, чтобы при увеличении коллекторного тока / к ток эмиттер - база / б триода VT увеличивался, а при уменьшении коллекторного тока - уменьшался. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5