Увеличение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 1
Увеличение ширины запрещенной зоны и уменьшение силы осциллятора перевешивают влияние увеличения плотности поляризуемых связей. Исключением являются вещества с сильной направленной связью, например графит. Когда натравленная связь является сильной, влияние давления просто сводится к сближению трупп атомов без изменения длин связей или ширины запрещенной зоны. Кастнер [98] вычислил значения этой величины для нескольких аморфных халькогенидных полупроводников и обнаружил, что значения, лежащие в интервале между - 5 и - 8, удовлетворяют приведенной модели. [1]
С увеличением ширины запрещенной зоны кристаллы приобретают свойства изоляторов. [2]
Оно приводит к увеличению ширины запрещенной зоны. [3]
Оно приводит к, увеличению ширины запрещенной зоны. [4]
Итак, в полупроводниковых соединениях увеличение ширины запрещенной зоны обусловлено ростом ионной доли химической связи. Вместе с увеличением ионности растет роль оптической ветви колебания решетки, рассеивающей носители тока значительно сильнее, чем акустические колебания или фононы. Поэтому с увеличением ширины запрещенной зоны в пределах одного и того же класса веществ наблюдается закономерное уменьшение подвижности носителей тока. [5]
Максимальная полезная мощность растет с увеличением ширины запрещенной зоны и скорости дрейфа носителей, следовательно, в этом отношении на первом месте арсенид галлия, на втором кремний и на третьем германий. [6]
Было найдено, что возмущение приводит к увеличению ширины запрещенной зоны, причем наибольшая часть этого увеличения обусловлена антисимметричной частью. [7]
 |
Оптические свойства нанокристаллов CdSe. [8] |
Переход от крупнокристаллических полупроводников к наноструктурам сопровождается увеличением ширины запрещенной зоны: нижний разрешенный уровень энергии в зоне проводимости повышается, а верхний энергетический уровень в валентной зоне понижается. Так, если для обычного крупнозернистого селе-нида кадмия ширина запрещенной зоны составляет 1 8 эВ, то для наночастиц размером 3 0 - 3 5 и 1 0 - 1 2 нм эта характеристика увеличивается соответственно до 2 3 и 3 0 эВ, что приводит к модификации оптических и других свойств. На рис. 3.2 показаны спектры поглощения нанокристаллов CdSe и зависимость энергии максимума полосы поглощения от радиуса нанокристалла. Видно, что полоса поглощения с уменьшением размера кристалла смещается в область больших энергий, следуя зависимости Е - / R, вытекающей из теоретических оценок. [9]
 |
Центры рекомбинации ( а и центры прилипания ( б, в. [10] |
Опыт, однако, показывает, что с увеличением ширины запрещенной зоны фононная рекомбинация все более преобладает над излучательной. Это противоречие объясняется тем, что по мереувеличения ширины запрещенной зоны более вероятными становятся не прямые переходы, а переходы через локальные уровни, расположенные в запрещенной зоне. [11]
Таким образом, влияние потенциала Маделунга состоит в увеличении ширины запрещенной зоны путем поднятия зоны проводимости относительно валентной зоны. Если имеется высокая концентрация электронов или дырок, обусловленная избытком атомов М и А, которые не являются ковялентно связанными, то возросшее экранирование резко уменьшает и вызывает уменьшение ширины запрещенной зоны. [12]
В аморфных пленках, создаваемых методом ионного распыления, обнаружено увеличение ширины запрещенной зоны с 2 06 до 2 85 эВ при повышении концентрации носителей от 1 1Х Х1017 до 1 2 1020 см-3. Рассчитанная по результатам оптических измерений эффективная масса носителей, приблизительно равная 0 04те, зависит от их концентрации. Однако приведенные выше данные поставлены Хааком под сомнение, поскольку изучавшиеся пленки представляли собой многофазные системы. [13]
Отметим еще, что существует и другой фактор, ведущий к увеличению ширины запрещенной зоны Es при возрастании ЛХ: повышение ионности связи. Последнее также способствует увеличению Ее, несмотря на некоторое уменьшение резонансного члена в формуле (6.31) ( см. в связи с этим разд. [14]
Очевидно, что беспорядок только топологического типа 7 0) приводит к увеличению ширины запрещенной зоны, а налит одного лишь количественного беспорядка ( р 0, а 7 0) - к ее умен шению. [15]
Страницы: 1 2 3 4