Увеличение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 2
Очевидно, что беспорядок только топологического типа ( р О, а 70) приводит к увеличению ширины запрещенной зоны, а наличие одного лишь количественного беспорядка ( р 0, а 7 0) - к ее уменьшению. [16]
Надеется несколько полупроводников ( PbS, PbSe, Те), у которых повышение температуры сопровождается увеличением ширины запрещенной зоны. [17]
Равновесная концентрация носителей заряда в диэлектриках очень мала из-за экС - ОнеКции: ьно1и уменьшения концентраций носителей с увеличением ширины запрещенной зоны Es. Если Es-2 эВ, то материалы считаются диэлектриками. Поскольку носители заряда в диэлектриках нельзя создать с помощью термической активации, то перенос заряда в веществах определяется концентрацией носителей заряда, инжектированных из контактов. [18]
По-видимому, вклад в двухфотонное поглощение смешанных кристаллов дают различные типы оптических переходов, удельный вес которых изменяется с увеличением ширины запрещенной зоны. [20]
Поскольку энергия активации определяется шириной запрещенной зоны, то максимум спектральной характеристики смещается в сторону более коротких волн по мере увеличения ширины запрещенной зоны. [22]
 |
Световые характеристики вентильного фотоэлемента ( а и фотодиода ( б.| Спектральные характеристики.| Статическая вольт-амперная характеристика туннельного диода и ее параметры. [23] |
Поскольку энергия активации вентильных фотоэлементов определяется шириной запрещенной зоны, максимум спектральной характеристики смещается в сторону более коротких волн по мере увеличения ширины запрещенной зоны. Постоянная времени, значительная для фотоэлементов из поликристаллических полупроводников, для фотодиодов составляет всего лишь 10 - 5 сек. [24]
Всестороннее сжатие ( обусловливаемое гидростатическим давлением) в большинстве случаев приводит к увеличению сопротивления, что в первом приближении обусловлено двумя причинами: увеличением ширины запрещенной зоны и возрастанием эффективной массы т с ростом давления. [25]
 |
Схема межзонной рекомбинации. Первый электрон рекомбииирует с дыркой и совершает переход из состояния 1 в состояние 1. Энергия и импульс передаются второму электрону, совершающему переход 2 - У. [26] |
Если эффективные массы электронов и дырок равны, то межзонная рекомбинация Оже идет в основном с уровней энергии, отстоящих на 1 / 6 ширины запрещенной зоны от экстремумов зон. С увеличением ширины запрещенной зоны уровень, с которого рекомбинируют частицы, смещается к более высоким энергиям, заселенность его падает, что резко снижает скорость рекомбинации. Поскольку с понижением температуры электроны и дырки локализуются около экстремальных точек зон, где они не могут участвовать в ударной рекомбинации, скорость рекомбинации Оже характеризуется весьма резкой температурной зависимостью. [27]
В реакциях изомеризации алканов увеличение ширины запрещенной зоны действует благоприятно на увеличение каталитической активности; количественные зависимости последней от значений U и г в литературе пока отсутствуют. Да их вряд ли можно ожидать, если учесть, что каталитическая активность определяется не одним, а несколькими, по-разному изменяющимися факторами. [28]
Можно ожидать, что для CdO и CdSe, а также соответствующих соединений цинка результаты окажутся такими же, как и для CdTe и CdS. Однако не исключено, что с увеличением ширины запрещенной зоны при переходе от соединений кадмия к соединениям цинка Ks или / F ( или, если происходит двукратная ионизация, / Cs или KF) станут больше / G и соответственно этому изменится механизм внедрения примесных атомов. [29]
Обнаружено, что сопротивление этих полупроводников рас -; тет с давлением. Увеличение сопротивления вызывается как уменьшением подвижности, так и увеличением ширины запрещенной зоны. При давлениях вплоть до 1 5 - 104 кг / см2 ширина запрещенной зоны увеличивается на 4 6 - 10 - 6 эв - см / кг, а после этого рост сильно замедляется. [30]
Страницы: 1 2 3 4