Воздействие - электронный луч
Cтраница 2
 |
Принцип действия электронно-лучевой трубки с накоплением / - конденсатор, 2 - сигнальный электрод, 3 - стекло, 4 - электронны. [16] |
Поверхность экрана, находящаяся под воздействием электронного луча, будет заряжаться положительно до тех пор, пока ее потенциал не станет близок к потенциалу коллектора. [17]
Описано [238, 470] разложение карбонила вольфрама под воздействием электронного луча. Проводящие пленки получены па стеклянных подложках, имевших предварительно нанесенные ( с интервалом 8 мм) электроды в виде алюминиевых и золотых полосок. [19]
Позитивный фоторезист AZ-1350, по-видимому, под воздействием электронного луча очень сильно подвергается расщеплению и поэтому его растворимость увеличивается, а рабочие характеристики сохраняются. [20]
Все люминесцирующие вещества обладают свойством светиться некоторое время после прекращения воздействия электронного луча. Это явление называется фосфоресценцией или послесвечением. Длительность послесвечения зависит от химического состава экрана и от количества энергии в луче, вызывающем свечение. В обычных экранах это время исчисляется десятыми долями секунд. Такой экран состоит из двух активных слоев и называется каскадным. Поток электронов ударяется в слой, называемый голубым или вспыхивающим, который дает яркие голубые вспышки света, возбуждающие свечение второго слоя ( расположенного под первым), обладающего длительным послесвечением. Второй слой называется янтарным или желтым. [21]
Схема воздействия лазерного излучения на материал во многом сходна со схемой воздействия электронного луча. Основными параметрами являются до - плотность КПЗ, Q. [22]
В работе [120] также отмечено, что перед осаждением пленок под воздействием электронного луча необходимо прогреть подложку до 200 - 250 GJ при отсутствии такого прогрева электрическое сопротивление пленок, имеющих толщину слоя не более 500 А, как правило, будет в несколько раз выше, чем сопротивление пленок той же толщины, но полученных па предварительно прогретой подложке. [23]
 |
Схема установки для обработки электронным лучом. [24] |
Частоту и длительность импульсов подбирают таким образом, чтобы материал находился под воздействием электронного луча в течение очень малого промежутка времени. [25]
Следует отметить важную роль поверхности подложки в процессе формирования тонкой пленки под воздействием электронного луча. [26]
В условиях [27] увеличение потока пара с поверхности металла увеличивает плотность пара вблизи зоны воздействия электронного луча, а увеличение скорости испарения металла определяется увеличением температуры поверхности металла. Таким образом, увеличение температуры металла увеличивает плотность парового облака. Изменение плотности парового облака определяется конкуренцией двух процессов: скоростью накопления пара в облаке за счет испарения металла и столкновений атомов в паре и скоростью рассасывания облака за счет оттока пара на периферию. Предположим, что скорость оттока пара на периферию зависит от плотности пара. [27]
 |
Функциональная схема электронно-лучевого осциллографа ( а. Се-мисегментный светодиодный индикатор ( б и схема его включения ( в. [28] |
В электронно-лучевом осциллографе ( рис. 132, а) регистрация осуществляется на экране, светящемся под воздействием электронного луча, движение которого происходит по оси Y под действием напряжения исследуемого сигнала и по X под действием напряжения развертки. Если в качестве напряжения развертки используется линейно изменяющееся напряжение пилообразной формы, синхронизируемое входным периодическим сигналом, то на экране электронно-лучевой трубки ( ЭЛТ) возникает устойчивое изображение. Изображение содержит один или несколько периодов отображаемого сигнала в зависимости от соотношения длительностей развертки и периода сигнала. [29]
 |
Многоточечный зонд, используемый для проверки интегральной схемы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4