Воздействие - электронный луч
Cтраница 3
Для снятия распределения потенциалов и электрических полей в образце существует и более сложная техника, которая основана на воздействии электронного луча на поверхность инте тральной схемы с помощью сканирующего электронного микроскопа. [31]
 |
Формирование изображения на экране эяектрон-но-лучевой трубки ( ЭЛТ. [32] |
На передней прозрачной стенке ЭЛТ с внутренней стороны нанесено люминесцентное покрытие из вещества, в атомах которого валентные электроны под воздействием электронного луча изменяют энергетическое состояние и излучают световые кванты. [33]
Хотя основными методами осаждения пленок в пленочных резисторах являются методы термического и катодного распыления, все же в микроминиатюрной технике применяют методы получения пленок химическим осаждением, электрохимическим разложением при воздействии электронного луча, осаждением в плазме. Использование электронных и ионных пучков в микроэлектронике открывает возможность изготовлять изделия очень малых размеров. Кроме того, способ осаждения веществ с помощью ионного луча, управляемого магнитным полем, допускает автоматизацию технологии изготовления микросхем, в частности резисторов. [34]
С целью получения пленок, отвечающих различным требованиям и назначениям, для разложения кремнийорганических соединений широко использовались такие методы, как термическое разложение в паровой фазе, разложение в плазме газового разряда и под воздействием электронного луча. Нам представляется необходимым рассмотреть эти методы в отдельности. [35]
Пленки различного назначения, используемые в электронике, могут быть получены такими методами, как осаждение из газовой или паровой фазы, напыление в вакууме, катодное распыление, химическое и электролитическое осаждение, вжигание, а также разложение под воздействием электронного луча, излучения оптических квантовых генераторов и в плазме газового разряда. [36]
Эксперименты и расчеты показывают, что основная доля энергии летящих электронов преобразуется в тепловую. В месте воздействия электронного луча материал может нагреваться до. Тепло, развиваемое сфокусированным лучом, используется для обработки и преобразования материала. [37]
Энергия электронов, приходящих на бомбардируемый элемент мишени, определяется потенциалом этого элемента. Очевидно, что до начала воздействия электронного луча поверхность мишени имеет потенциал, определяемый распределением потенциала в приборе. При толщине мишени, малой по сравнению с расстоянием от мишени до остальных электродов, потенциал ее поверхности будет близок к потенциалу сигнальной пластины. [38]
 |
Силы, действующие на элемент жидкого металла в кратере при неподвижном луче.| Схема распределения температуры в кратере. [39] |
Вследствие этого при относительном перемещении изделия и электронного луча возникает значительный градиент температур в кратере. На передней стенке кратера, которая подвергается воздействию электронного луча, температура в поверхностном слое может достигать температуры кипения, на задней же стенке кратера температура близка к температуре кристаллизации. [40]
Экран осциллографической трубки имеет круглую форму диаметром до 12 5 см, занимая всю поверхность торцевой расширенной части колбы. Свечение экрана наблюдается со стороны, противоположной воздействию электронного луча, так что толщина слоя люминофора должна быть больше глубины проникновения луча, но достаточно малой, чтобы свечение, возбуждаемое электронным лучом, возможно меньше поглощалось при прохождении света через слой люминофора, прилегающий к стеклу. [41]
В первом повторяется рассмотренная система Эйдофор. Здесь вместо масляной пленки использован термопластический материал, который до воздействия электронного луча нагревается до размягчения. При попадании луча на термопластический носитель его поверхность деформируется. В остальном принцип действия системы не отличается от системы Эйдофор. Использование термопластика вместо масляной пленки улучшает эксплуатационные характеристики проекцион - ных систем. [42]
Сварку меди ДРПК следует вести со скоростью 0 3 см / с, поскольку из-за интенсивного испарения меди в вакууме возможна вогнутость сечения шва. Испарение меди при воздействии ДРПК менее интенсивное, чем при воздействии электронного луча, и поверхность шва практически гладкая. [43]
Особенности работы электронного микроскопа ставят ряд требований, которым должны удовлетворять исследуемые препараты - объекты. Препараты должны быть прозрачными для электронов, не должны ионизироваться под воздействием электронного луча и не должны разрушаться в вакууме и под действием электронов. [44]
Для снижения концентрации легкоиспаряющихся компонентов в зоне сварки применяют промежуточные вставки, которые размещают между свариваемыми кромками перед сваркой. В дальнейшем эти вставки переплавляют вместе с основным металлом, изменяя тем самым химический состав в зоне воздействия электронного луча. [45]
Страницы: 1 2 3 4