Темнопольное изображение

Cтраница 2

При этом анализ темнопольных изображений показал, что наноструктуры в Ge и Si характеризуются нормальным распределением по размерам зерен со средним размером 24 и 17 нм соответственно. Изучение электронограмм, снятых с площади 2 мкм2, выявило концентрические кольца, состоящие из многочисленных точечных рефлексов. [16]

В то же время темнопольное изображение создается только дифрагированными электронами, а основной электронный пучок экранируется объектной диафрагмой. Таким образом, светло - и темнопольное изображения объекта до известной степени дополняют друг друга. Однако темнопольное изображение содержит более емкую информацию, позволяя судить о внутреннем строении объектов. Действительно, наклоняя кристалл, можно устанавливать различные семейства его кристаллографических плоскостей в отражающее положение. [17]

Схема образования контраста изображения поликристаллического объекта, состоящего из субзерен разной ориентировки. [18]

Однако такой способ получения темнопольного изображения не является лучшим, так как при этом электроны, формирующие микроскопическое изображение, проходят через периферийные области объективной линзы, где особенно сильно проявляются аберрации. [19]

Обычно считалось, что для темнопольных изображений, т.е. когда вклад прошедшего без отклонений падающего пучка отсутствует, интенсивность задается просто количеством рассеивающей материи в каждой точке объекта. Это правдоподобное приближение для изображений с низким разрешением, однако для картин с высоким разрешением, получающихся от тонких образцов, оно, неприменимо. [20]

Использовать колонковое приближение и найти светлополь-ное и темнопольное изображения, предполагая, что периоды решетки не разрешаются. [21]

Наклонное расположение. [22]

Такой вывод был сделан из-за отсутствия контраста на высокоразрешающих темнопольных изображениях кристаллов ПЭ. Кроме того, показано, что уширение рефлексов ЭД, наблюдавшееся прежде ( Ort, см. [49]), обусловлено в основном инструментальным расширением рефлексов, и оценки размеров блоков по полуширине таких рефлексов неточны. До сих пор остается неясным, существуют ли реально когерентные области такого размера в единичных кристаллах, тем более, что в темнополь-ном изображении не находят структур тысячеангстремного масштаба. [23]

В современных электронных микроскопах наклон освещающего пучка для перехода к темнопольному изображению осуществляется с помощью отклоняющего поля. [24]

Критические напряжения. [25]

Представляет интерес контраст при критическом напряжении: для совершенной части в темнопольном изображении яркость будет особенно низкой, поэтому контраст в изображении дефектов решетки должен быть особенно сильным. [26]

Если допустить максимальное значение jsin х I 0 3, то получим оптимальное темнопольное изображение для дефокусировки, которая дается выражением АОПтим ( 0 61 / я) СА или А - 300 А для электронов с энергией 100 кэВ и Cs 1 8 мм. [27]

Электронный микроскоп позволяет исследовать объекты на просвет в широком диапазоне увеличений, получать светлопольные и темнопольные изображения, проводить дифракционные исследования избранного участка объекта на просвет и микродифракционные исследования участков объектов с локальностью 2 - 3 мк. [28]

Одно из важных следствий л-волнового приближения - метод Кокейна и др. [58] для получения темнопольного изображения с помощью слабого пучка. Эти авторы показали, что если для получения темнопольного изображения вместо сильного внутреннего отражения использовать слабое отражение, соответствующее точке обратной решетки, далеко отстоящей от сферы Эвальда, то изображения дислокаций получаются более резкими. В этом методе ширина изображения составляет 10 - 20 А по сравнению с 100 - 200 А, которые наблюдаются при обычных методах. Соответственно становится возможным наблюдение многих тонких деталей в участках разделения дислокаций и их взаимодействия. [29]

Появление в одной и той же микрофибрилле жгутов из трех или более следующих друг за другом светлых блоков при темнопольном изображении на микрофотографии в электронном микроскопе указывает на стойкость поперечной ориентации решетки в этих блоках, несмотря на внедрение аморфных слоев. Наиболее вероятно, что такой эффект обусловлен связыванием блоков проходными цепями. ШУРРЛ оказывается немного больше значения L, оцениваемого по радиальной ширине максимума рассеяния рентгеновских лучей с отличными от нуля с-индексами. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5