Темнопольное изображение

Cтраница 3

В случае дислокаций, проходящих наклонно к поверхности фольги и дающих осциллирующий контраст, можно различить верхний и нижний концы, сравнивая светлопольное и темнопольное изображения. Изображения нижнего конца дислокациии будут взаимно дополнительными. Поскольку период осцилляци равен fe, по изображению с осциллирующим контрастом можно измерить расстояние от дислокации до поверхности фольги. [31]

Теоретический анализ, в соответствии с опытом, показал, что свет-лопольное изображение симметрично, если включение находится в середине фольги; светлопольное и темнопольное изображения включения возле верхней поверхности объекта примерно одинаковы, а возле нижней поверхности - взаимодополняющие. Асимметрия яркости тем-нопольных изображений малых включений в толстой фольге ( г0 Т, Т -; ЗТо) зависит только от знака е и r HKL. Это дает возможность различать включения типа внедрений и типа вакансий. [32]

Если при наблюдении дифракционной картины вывести в фокальную плоскость объектива апертурную диафрагму и установить ее так, чтобы она пропускала определенный ( выбранный исследователем) одиночный рефлекс электронограммы, то, переходя затем к темнопольному изображению ( изменением тока в промежуточной линзе), можно непосредственно видеть тот кристаллик ( или микроучасток сплошного объекта), которому принадлежит данный рефлекс. Таким путем можно раздельно идентифицировать даже лежащие один на другом кристаллики. [33]

В современных приборах направление освещающего пучка ( наклон) изменяют электрически с помощью отклоняющей оптической системы; в старых приборах для перехода к темному полю применяли смещение апертурной диафрагмы, что приводило к потере разрешения, так как для формирования темнопольного изображения использовали периферийную область объективной линзы. [34]

На рис. 8, а в светлопольном изображении видны двойники отжига и дефекты упаковки в матрице. Темнопольное изображение в рефлексе е-мартенсита позволяет выявить тонкую структуру двойников. Они состоят из тонких параллельных пластин е-мартенсита, перпендикулярных плоскости фольги. [35]

Структура стали Х16Н8МЗ после а - у превращения при на-греве со скоростью 0 3 град / мин до 570 С, ув. 30000. [36]

Эти кристаллы у-фазы могут контактировать с полосами фазы, вновь образованной при охлаждении. Темнопольное изображение округлых у-кристаллов и у-полос выявляется в одном и том же рефлексе ( 200) [136] что говорит о единой восстановленной ориентации аустенвта. [37]

Если интерференции дифрагированных пучков с прошедшим пучком или между собой препятствует ограничение, накладываемое апертурой объективной линзы, или если при данных условиях эксперимента разрешение микроскопа недостаточное, изменение интенсивности прошедшего пучка на светлопольном изображении будет зависеть от положения. На темнопольных изображениях, полученных от отдельных дифрагированных пучков, от положения будет зависеть изменение интенсивности-дифрагирован-ных пучков. Совершенные плоскопараллельные кристаллы ( однородной толщины) не будут давать контраста, однако любой дефект, изгиб или изменение толщины кристалла могут привести к его возникновению. [38]

В светлопольном изображении кристаллической пленки брэгговские пучки обычно отсекаются диафрагмой; следовательно, интенсивность изображения маленького элемента пленки определяетея интенсивностью проходящего пучка на выходной поверхности этого элемента. Подобно этому в темнопольном изображении интенсивность определяется интенсивностью того дифрагированного луча, который может пройти через диафрагму. Уравнение ( 13) связывает интенсивность отражения кристалла с толщиной t и параметром 5афф, учитывающим локальную ориентацию и экстинкционное расстояние. Поля напряжений и дефекты, такие как дефекты упаковки, могут привести к изменению параметра 53фф одного элемента пленки по отношению к соседнему и, таким образом, к локальному изменению отраженных и трансэмиссионных интенсивностей. Контраст, который вызывается такими пространственными изменениями условий дифракции, носит название дифракционного контраста и будет обсуждаться в дальнейшем, в разд. [39]

В то же время темнопольное изображение создается только дифрагированными электронами, а основной электронный пучок экранируется объектной диафрагмой. Таким образом, светло - и темнопольное изображения объекта до известной степени дополняют друг друга. Однако темнопольное изображение содержит более емкую информацию, позволяя судить о внутреннем строении объектов. Действительно, наклоняя кристалл, можно устанавливать различные семейства его кристаллографических плоскостей в отражающее положение. [40]

Характер расположения пластин е-мар-тенсита и дефектов упаковки в аустените может различаться. На рис. 8, а в темнопольном изображении в рефлексе е-мартенсита он представлен тонкими светлыми пластинами, а дефекты упаковки - тонкими темными полосками. Склонность аустенита к образованию дефектов упаковки может служить признаком его способности к превращению. [41]

Одно из важных следствий л-волнового приближения - метод Кокейна и др. [58] для получения темнопольного изображения с помощью слабого пучка. Эти авторы показали, что если для получения темнопольного изображения вместо сильного внутреннего отражения использовать слабое отражение, соответствующее точке обратной решетки, далеко отстоящей от сферы Эвальда, то изображения дислокаций получаются более резкими. В этом методе ширина изображения составляет 10 - 20 А по сравнению с 100 - 200 А, которые наблюдаются при обычных методах. Соответственно становится возможным наблюдение многих тонких деталей в участках разделения дислокаций и их взаимодействия. [42]

Примеры изображений дислокаций, перпендикулярных плоскости фольги, приведены на фото 5; они получены на образцах платины и окиси урана. В случае окиси урана приведены и светлопольное, и темнопольное изображения. Из-за наличия поглощения эти изображения не являются взаимно дополнительными. [43]

Вместо этого можно использовать любой из двух методов. Так, например, можно наблюдать в электронном микроскопе светлопольные или темнопольные изображения равномерно изогнутой плоскопараллельной кристаллической пластинки. Для плоской падающей волны угол падения на плоскости решетки меняется при перемещении электронного пучка вдоль кристалла, как показано на фиг. Интенсивность прошедшего и дифракционного пучков в любой точке выходной поверхности будет зависеть от ошибки возбуждения для плоскостей решетки в данной точке, и при постоянной кривизне кристалла ошибка возбуждения будет меняться вдоль кристалла почти линейно. [44]

Бюргерса параллелен отражающим плоскостям. Это выражение может быть использовано для определения вектора Бюргерса b по тем темнопольным изображениям, на которых дислокации исчезают. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5