Уровень - химический потенциал
Cтраница 1
Уровень химического потенциала в кристалле часто называют уровнем Ферми, в честь крупнейшего итальянского физика Энрико Ферми. [1]
Уровень химического потенциала [ л, выражающий свободную энергию электронов, должен совпадать у всех полупроводников и металлов, находящихся во взаимном равновесии. [2]
Положение уровня химического потенциала в этом случае также не меняется о - температурой. [3]
Положение уровня химического потенциала зависит, помимо всего прочего, от общего числа атомов N, адсорбированных на единице поверхности. Таким образом, относительное содержание различных форм адсорбции зависит от степени заполнения поверхности. [4]
Положение уровня химического потенциала зависит также от природы и концентрации примесей, содержащихся внутри кристалла. При увеличении содержания акцепторной примеси уровень е сдвигается вниз, донорная примесь действует противоположным образом. Таким образом, относительное содержание различных форм адсорбции зависит от природы и количества примесей, введенных внутрь кристалла. Таким путем свойства объема отражаются на свойствах поверхности. [5]
При Т 0 уровень химического потенциала в примесном полупроводнике лежит посредине между донор-ными уровнями и дном зоны проводимости. [6]
Таким образом, уровень химического потенциала С лежит посередине запрещенной области. [7]
 |
Зависимость концентрации носителей от обратной температуры. [8] |
Таким образом, положение уровня химического потенциала зависит от температуры и эффективных масс электронов и дырок. [9]
Поскольку уровень Ферми - это уровень химического потенциала для электронов, при равновесии он одинаков во всех частях кристалла. В связи с этим все примеси в объеме полупроводника, изменяющие положение уровня Ферми, оказывают влияние на состояние хемосорбционного слоя на его поверхности. [10]
В проводнике Р - типа уровень химического потенциала лежит выше уровня акцепторов, также на 0.2 эл. [11]
 |
Зависимость концентрации носителей от обратной температуры. [12] |
Формула (1.39) справедлива только тогда, когда уровень химического потенциала лежит посередине запретной зоны. Это требование удовлетворяется при низких температурах. С ростом температуры уровень химического потенциала постепенно поднимается вверх к зоне проводимости, а потому уравне - ние (1.39) становится все менее пригодным. [13]
Как известно из курса физики, положение уровня химического потенциала ( уровня Ферми) в состоянии равновесия должно быть постоянным для любой области единой системы. Очевидно, что и в рассматриваемой системе положение уровня Ферми одинаково для п и р-областей. Величина этого изгиба равна ефл, Изменение концентрации основных носителей показано на рис. 1.11, в. На рис. 1.11, г изображена плотность объемного заряда в обеих областях полупроводника. [14]
Мы уже указывали, что в состоянии равновесия уровень химического потенциала во всех частях системы проходит на одной высоте. Поэтому положение уровня химического потенциала не изменяется и изображается по-прежнему прямой линией. Следовательно, расстояние от дпа зоны проводимости до уровня химического потенциала теперь уже неодинаково в разных точках и равно ц р ( х), где ц - расстояние от дпа зоны до уровня химического потенциала в глубине полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4