Уровень - химический потенциал
Cтраница 3
Шокли и Ридом, показывает, что максимальное значение U соответствует такому положению уровня химического потенциала Ei для собственного полупроводника, при котором он приблизительно одинаково удален от квазиуровней Ферми для электронов и дырок. Скорость рекомбинации резко снижается, если Ei существенно отличается от значения ( Ерп EFp) / 2, и поэтому при прямом смещении интенсивная рекомбинация носителей заряда происходит в пределах ограниченной области обедненного слоя. [31]
В заключение заметим, что в применении к электронному газу в металлах и полупроводниках уровень химического потенциала называют обычно уровнем Ферми. [32]
Из выражения (VI.9) видно, что при фиксированной температуре значением Z можно управлять путем изменения уровня химического потенциала, подвижности носителей тока, эффективной массы и фактора рассеяния г, зависящего от механизма рассеяния носителей тока. [33]
 |
Энергетический спектр-электрона в изолированных атомах лития.| Энергетический спектр электрона в металлическом литии. [34] |
Учитывая все сказанное, при температуре, отличной от абсолютного нуля, работу выхода отсчитывают от уровня химического потенциала и называют изотермической работой выхода. [35]
Повышение каталитической активности закиси никеля при увеличении содержания кислорода, по-видимому, также связано со снижением уровня химического потенциала. [36]
Учитывая все вышесказанное, и при температуре, отличной от абсолютного нуля, работу выхода отсчитывают от уровня химического потенциала и называют ее изотермической работой выхода. [37]
При промежуточных температурах, когда числа свободных зарядов, создаваемых примесными атомами и основной решеткой, становятся сравнимыми, уровень химического потенциала перемещается так, чтобы при каждой температуре число положительных и отрицательных зарядов было одинаково. [38]
Согласно современным представлениям, активность твердых катализаторов зависит от их электронной структуры и, в частности, от положения уровня химического потенциала [1], [2] ( см. также стр. В связи с этим представляет интерес проверить влияние легирующих добавок на каталитическую активность германия, меняющих тип и величину его проводимости, в отношении вышеуказанной реакции. [39]
В металлах концентрации свободных электронов не зависят от температуры, скорости электронов из-за вырождения очень слабо зависят от температуры, уровень химического потенциала также почти не зависит эт температуры. Поэтому термоэдс металлов очень мала. [40]
При повышении температуры происходит качественное изменение во взаимодействии адсорбированных молекул с поверхностью полупроводника и между собой, что приводит к изменению положения уровня химического потенциала, а следовательно, к резкому изменению заполнения поверхностных уровней и работы выхода. [41]
 |
Контакт металла ( М. [42] |
При достаточно большой разности контактных потенциалов F0 верхняя граница заполненной зоны в электронном полупроводнике может приблизиться к химическому потенциалу настолько, что расстояние ее от уровня химического потенциала окажется меньше, чем расстояние от химического потенциала до нижнего края свободной зоны. [43]
Направление переходов электронов при химической адсорбции существенно зависит от степени заполненности соответствующих зон ( или от наличия свободных электронных орбит) и от плотности электронных уровней, что и определяет уровень химического потенциала электронов в металле. Изменение заполнения зон ( плотности энергетических уровней электронов) и уровня Ферми в результате введения определенных добавок или образования сплавов должно приводить к изменению адсорбционной способности. [44]
Как видно из данных, представленных в таблице и на рис. 3, наибольшей удельной каталитической активностью в отношении реакции окисления водорода обладают окислы, являющиеся дырочными полупроводниками, для которых характерно более низкое положение уровня химического потенциала электронов. Интересно поэтому сопоставить удельную каталитическую активность окислов с величиной работы выхода электрона. [45]
Страницы: 1 2 3 4