Уровень - химический потенциал
Cтраница 2
Согласно выражению (3.52), при абсолютном нуле температуры уровень химического потенциала проходит строго посредине между дном запретной зоны и донорными уровнями. [16]
Таким образом, не обнаружено симбатности между положением уровня химического потенциала и удельной каталитической активностью: последняя снижается под влиянием добавок как галлия, так и сурьмы. [17]
Так как изменение температуры приводит к перемещению положения уровня химического потенциала, то в рассматриваемом случае произойдет следующее. [18]
Мы видели уже, что даже в чистом веществе уровень химического потенциала смещается с температурой, когда эффективные массы дырок и электронов не равны друг другу, что обычно и имеет место. Для определения концентрации свободных зарядов решающее значение имеет положение химического потенциала по отношению к границам энергетических зон. [19]
 |
Схема возникновения контактной разности потенциалов. [20] |
Поэтому и в полупроводниках изотермическую работу выхода отсчитывают от уровня химического потенциала, несмотря на то, что на этом уровне большей частью нет ни одного электрона, так как обычно он проходит где-то в запретной зоне. [21]
 |
Расщепление электронных уровней в кристалле полупроводника. [22] |
У металлов вплотную за валентной зоной, начиная выше уровня химического потенциала ( уровень Ферми), идет широкая зона свободных электронных уровней, что позволяет электронам без затраты энергии переходить на близкие свободные электронные уровни и обеспечивать высокую электропроводность. [23]
Устано-влено, что удельная каталитическая активность возрастает при снижении уровня химического потенциала электронов и лимитирующий этап каталитического цикла связан с переходом электрона от реагирующих веществ к катализатору. [24]
Согласно выражениям (3.55) и (3.56), в этом интервале температур уровень химического потенциала уже опустился ниже до-норных уровней, и, следовательно, почти все они должны быть пустыми. [25]
Выражение ( 35) показывает, что при абсолютном нуле температуры уровень химического потенциала проходит строго посредине между дном запретной зоны и донорными уровнями. Ndhs ] положителен, а при более высоких становится отрицательным. [26]
При растворении окиси лития в ZnO энергия активации электропроводности растет, а уровень химического потенциала снижается; следовательно, при выполнении зависимости ( 1) растворение окиси лития должно было бы привести к снижению теплот и повышению энергий активации адсорбции кислорода и к обратной зависимости для адсорбции СО. На опыте адсорбция обоих газов изменяется в противоположном направлении. Расхождение указывает на невозможность объяснения полученных данных с этих позиций. Отметим, что изменение химической адсорбции газов - доноров и акцепторов электронов в противоположном направлении свидетельствует об электронном происхождении причин, вызывающих это изменение. [27]
Согласно ( 38) и ( 39), в этом интервале температур уровень химического потенциала уже спустился ниже донорных уровней и, следовательно, почти все они должны быть пусты. [28]
Действительно, мы установили в предыдущем разделе, что при абсолютном нуле температуры уровень химического потенциала проходит посредине между дном зоны проводимости и примесными уровнями, а затем начинает подниматься. При этом если энергия активации примесных уровней мала, а число их велико, то уровень химического потенциала может приблизиться к дну зоны и даже пересечь его, так что неравенство / 1 нарушится и все выводы предыдущего раздела, основанные на нем, будут по крайней мере неточны. Мы не будем здесь количественно рассматривать этот вопрос, так как учет частичного вырождения приводит к большим вычислительным трудностям, а рассмотрим лишь качественную картину явления. [29]
Действительно, в предыдущем параграфе мы установили, что при абсолютном нуле температуры уровень химического потенциала проходит посредине между дном зоны проводимости и примесными уровнями, а затем начинает подниматься. При этом если энергия активации примесных уровней мала, а число их велико, то уровень химического потенциала может приблизиться к дну зоны и даже пересечь его, так что неравенство / 5С 1 нарушится и все выводы предыдущего параграфа, основанные на нем, будут по крайней мере неточны. Качественно причина этого заключается в следующем. [30]
Страницы: 1 2 3 4