Локальный уровень

Cтраница 1

Локальный уровень может состоять из ряда подуровней, обусловленных блочной структурой языка и возможностью описания локальных объектов в процедурах и функциях. [1]

Локальный уровень ЕГСЭМ должен строиться при условии применения для получения и обработки информации унифицированного методического аппарата. [2]

Зонная диаграмма, поясняющая процесс образования избыточного тока.. - ширина запрещенной зоны. § / [, Sd - локальные ( дискретные уровни.. р. [3]

Локальный уровень S d лежит гораздо ниже уровня Ферми в га-области, и свободное локальное состояние заполняется очень быстро. [4]

Каждый локальный уровень дает энергию электрона, когда он находится на примесном атоме. [5]

Если локальный уровень адсорбированной молекулы [ CH3COHCHS ] S - при этом находится ниже локального поверхностного неадсорбционного уровня О8, тогда при хемосорбции спирт будет имитировать поведение донора электронов, оставаясь в действительности акцептором. [6]

Мониторинг локального уровня на третьем этапе должен обеспечивать систематический контроль за развитием потенциально опасных сейсмических и деформационных процессов природно-техногенного генезиса на локальных полигонах. Обязателен мониторинг аномально-деформируемых участков месторождения, в пределах которых расположены скважины, коммуникации, подземные хранилища сырья и отходов и другие объекты обустройства промысла. Системы мониторинга ( локальные полигоны), их количество и плотность наблюдений зависят от числа локальных участков с аномальным проявлением сейсмических, деформационных и флюидодинамических процессов природно-техногенного генезиса. [7]

Элементы ЕГСЭМ локального уровня наряду с информацией, обеспечивающей деятельность местных структур, должны вырабатывать обобщенную информацию о целевым назначением для банка данных верхнего уровня иерархии. [8]

Следовательно, расстояние локального уровня от соответствующей зоны увеличивается в 4 раза при переходе от однократно заряженной вакансии к двукратно заряженной. Рост энергии ионизации в таких случаях имеет место и для более глубоких уровней. Он является следствием увеличения электростатических сил взаимодействия между электроном или дыркой и ионизованными вакансиями по мере увеличения их заряда. Так, вакансия серы в ZnS после потери одного электрона приобретает положительный заряд и потому менее охотно отдает второй электрон. [9]

Локальный поверхностный уровень Р, обусловленный адсорбированной молекулой М. [10]

Допустим теперь, что локальный уровень Р является донорным. [11]

На зонной диаграмме расстояние локального уровня от зоны проводимости отвечает энергии ионизации дефекта с образованием свободного электрона. В процессах, приводящих к освобождению дырки, оно, наоборот, является конечным. Поэтому энергия реакции (111.28) указывается на зонной диаграмме положением уровня V zn, а реакции V zn - - V zn A - положением уровня V zn по отношению к валентной зоне. Вообще следует помнить, что зонная схема является диаграммой энергий, которые относятся не к дефектам, а к процессам, в которых участвуют эти дефекты, я потому, обозначая уровень символом дефекта, следует указывать, к какому состоянию последнего - начальному или конечному - относится этот символ. [12]

В Ленинграде примерами ЦКП низового локального уровня являются центры Всесоюзного научно-исследовательского института синтетического каучука имени Е. В. Лебедева, объединения Пласт-полимер и другие, обслуживающие в основном свои предприятия и организации. С начала 80 - х годов круг потребителей приборной продукции этих центров стал постепенно расширяться как за счет предприятий своего министерства, так и организаций других ведомств. [13]

Наконец, при рекомбинации через локальный уровень резко облегчается выполнение законов сохранения энергии и импульса, так как избыточная энергия и импульс электрона могут быть переданы центру рекомбинации, создающему локальный уровень. Поэтому глубокий локальный уровень является эффективным центром рекомбинации и в полупроводниках с широкой запрещенной зоной этот вид рекомбинации является основным. [14]

Если в запрещенной зоне имеется свободный локальный уровень А, лежащий немного выше потолка валентной зоны, то тепловой энергии может быть достаточно для того, чтобы электрон из валентной зоны перешел на уровень А. [15]

Страницы: 1 2 3 4