Локальный уровень

Cтраница 2

Следует отметить, что энергия локального уровня под дном валентной зоны уже для ячейки TIKseCb. Самосогласованный заряд на атоме Т1 получился близким к единице, что соответствует принятой за исходную модели центра ( ион Т1 в катионном узле) и свидетельствует о внутренней непротиворечивости применяемого подхода. [16]

Энергетическая диаграмма полупроводника, содержащего центры рекомбинации ( а и центры прилипания ( б. [17]

Иначе развивается процесс при наличии глубокого локального уровня. Для осуществления теплового переброса в зону проводимости ( переход 3 на рис. 2.7, а) электрон должен поглотить одновременно несколько фононов, так как энергии одного фоно-на для этого недостаточно. Поэтому вероятность теплового переброса электрона в зону проводимости незначительна. [18]

Зонная схема адсорбента ( Евак - уровень энергии электронов в вакууме. [19]

При облучении сорбента электроны с заполненного локального уровня переходят в зону проводимости, а затем стабилизируются на свободных локальных уровнях в запрещенной зоне. При этом образуются парамагнитные центры дырочного и электронного типа. [20]

Например [115], при адсорбции метиленового синего локальный уровень на ТШг расположен на расстоянии 0 2 эв, а на HgI2 - на 0 4 эв выше валентной зоны. [21]

Ялок, Е ок - энергия локального уровня. [22]

При этом переход электрона из валентной зоны на локальный уровень h называют переходом дырки в валентную зону, а обратный процесс - захватом дырки соответствующим структурным дефектом. [23]

Однако если немного ниже дна зоны проводимости имеется заполненный локальный уровень D, то тепловой энергии может хватить на то, чтобы электрон с этого уровня перешел в зону проводимости. Тогда в зоне проводимости окажется носитель тока и у кристалла появятся электропроводящие свойства. [24]

Схема течения перед лобовой частью несущей трубы. [25]

Существование у корня ребер интенсивных вихреобразований является причиной высокого локального уровня теплоотдачи в этой области. Распространенное ранее представление о наличии по всей прикорневой зоне ребер застойных зон с низкой теплоотдачей является ошибочным. Анализ картины обтекания, проведенный в работе [4], показывает, что при постоянных параметрах оребрения уменьшение как 8г, так и S2 приводит к росту степени под-жатия потока. [26]

Чтобы СУОС на предприятии стала эффективным инструментом экологического управления локального уровня, должны быть предусмотрены экономические ( например, льготные платежи, или льготные условия кредитования) и другие механизмы государственной поддержки, которые обеспечили бы заинтересованность предприятия в системных методах управления природоохранной деятельностью. [27]

Такой переход соответствует переходу из заполненной валентной зоны кристалла на локальный уровень примеси. При этом один из уровней верхней части валентной зоны освобождается и образуется дырка. Переход электрона из валентной зоны на уровни примеси требует меньшей энергии, чем переход их на уровни проводимости кристалла. Атомы примеси в этом случае называются акцепторными, или просто акцепторами, а уровни соответственно акцепторными. Наблюдается дырочная, или р-проводимость, и кристалл является полупроводником р-типа. Локальные уровни электронов образуются не только примесными, но и собственными атомами. Например, переход атома Si в междоузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междуузлии действует как донор электронов, а пустой узел как акцептор. [28]

Такой переход соответствует переходу из заполненной валентной зоны кристалла на локальный уровень примеси. При этом один из уровней верхней части валентной зоны освобождается и образуется дырка. Переход электрона из валентной зоны на уровни примеси требует меньшей энергии, чем переход их на уровни проводимости кристалла. Атомы примеси в этом случае называются акцепторными, или просто акцепторами, а уровни соответственно акцепторными. Наблюдается дырочная, или р-проводимость, и кристалл является полупроводником р-типа. Локальные уровни электронов образуются не только примесными, но и собственными атомами. Например, переход атома Si в междоузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междуузлип действует как донор электронов, а пустой узел как акцептор. [29]

Изменение состояния электрона или дырки ( при рекомбинации или при переходе па локальный уровень) сопровождается выделением энергии и изменением квазиимпульса, причем обе величины подчиняются закону сохранения. Если при переходе носителя заряда на более низкий уровень энергия выделяется в виде фотона, то такой переход наз. [30]

Страницы: 1 2 3 4