Cтраница 4
Таким образом, с ростом а, диаметр потенциальной ямы уменьшается, а величина среднего возмущения и смещение локального уровня энергии увеличиваются. [46]
В соответствии с учебной программой в разделе рассматриваются теоретические основы автоматического контроля, регулирования и управления только устройств и систем локального уровня. [47]
Наконец, при рекомбинации через локальный уровень резко облегчается выполнение законов сохранения энергии и импульса, так как избыточная энергия и импульс электрона могут быть переданы центру рекомбинации, создающему локальный уровень. Поэтому глубокий локальный уровень является эффективным центром рекомбинации и в полупроводниках с широкой запрещенной зоной этот вид рекомбинации является основным. [48]
Такое представление об акцепторном уровне, существующем лишь до тех пор, пока он занят электроном, или о донорном локальном уровне, всегда лишенном своего электрона, делает бессмысленным само понятие локального уровня как уровня, способного принимать и отдавать электрон. [49]
Этот уровень он не мойет покинуть без посторонней помощи, так как перестал принадлежать к системе обобществленных электронов кристалла и связан теперь с определенным местом кристалла - тем, где расположен захвативший его локальный уровень. Поэтому локальные уровни этого типа часто называются электронными ловушками. [50]
Ускоренный прогресс видео - и информационных технологий ведет к тому, что независимо от того, где событие произошло, оно может быстро стать мировой новостью, проливая реальный свет на ситуацию даже локального уровня. [51]
Было показано, что но мере приближения газового атома С к хемосор-бированному атому CeL между газовым атомом и хемосорбирован-ным атомом возникает постепенно упрочняющаяся ковалентная связь, связь хемосорбированного атома с решеткой при этом ослабевает, локальный уровень CL ( см. рис. 2) подтягивается к зоне проводимости ( расстояние v на рис. 2 уменьшается) и электрон, локализованный на этом уровне, постепенно делокализуется. В итоге, после преодоления некоторого активационного барьера локальный уровень оказывается втянутым в зону проводимости, сидящий на нем электрон - полностью делокализованным, а связь между хемосорбированным атомом С и решеткой - разорванной. [52]
Как видно из уравнений (1.33) - (1.35), при установившемся электронном равновесии относительные содержания различных форм хемосорбированных частиц т 0, г -, ту1, а следовательно, и скорость каталитической реакции, связанной с концентрацией реакционноспособных форм, зависит от положения уровня Фер ми, энергетического интервала между валентной зоной и зоной проводимости и положения локального уровня хемосорбирован ных молекул. [53]
Наконец, при рекомбинации через локальный уровень резко облегчается выполнение законов сохранения энергии и импульса, так как избыточная энергия и импульс электрона могут быть переданы центру рекомбинации, создающему локальный уровень. Поэтому глубокий локальный уровень является эффективным центром рекомбинации и в полупроводниках с широкой запрещенной зоной этот вид рекомбинации является основным. [54]
Для перехода к примесному атому электрону требуется меньшая энергия, чем для перехода в зону проводимости. Следовательно, локальный уровень атомов примеси должен располагаться близко к потолку валентной зоны. Электроны будут переходить из валентной зоны на примесные уровни, оседая на них и образуя неподвижные или так называемые локализованные электроны, не участвующие в электропроводности. Одновременно, в результате ухода электронов, в валентной зоне возникают подвижные дырки. Некоторая часть электронов будет переброшена в зону проводимости. Концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов, поэтому дырки - основные носители заряда, а электроны - неосновные. [55]
На эту проблему пролила свет работа Леннард-Джонса [ 341 Он показал, что атом, адсорбированный на металлической поверхности, нарушает периодическое потенциальное поле ( вызванное правильным расположением металлических ионов) около металлической поверхности. Это приводит к появлению локального уровня энергии в поверхности металла вблизи адсорбированного атома, и электрон в этом уровне в благоприятных условиях будет обмениваться с электроном в адсорбированном атоме, приводя преимущественно к гомеополярной связи. Там-мом [42] и позже другими исследователями были также сделаны попытки рассматривать уровни поверхностной энергии металла в отсутствие адсорбированных газов. [56]
Представление о локальных уровнях захвата электронов лежит в основе современной теории люминесценции кристаллофосфоров. Электрон может быть освобожден с локального уровня тепловыми колебаниями решетки, если его глубина не слишком велика, либо действием света. Поэтому ряд явлений, связанных с действием света на возбужденный фосфор, обусловлен электронами, локализованными на локальных уровнях захвата. Несмотря на фундаментальную роль понятий об электронных уровнях в современной теории люминесценции, представление о причинах их возникновения в кристалле страдает крайней общностью, приводит к чисто феноменологическому описанию их константами вероятностей захвата и высвобождения электронов. [57]
При этом в запрещенной зоне кристалла возникает локальный уровень. [58]
Было показано, что но мере приближения газового атома С к хемосор-бированному атому CeL между газовым атомом и хемосорбирован-ным атомом возникает постепенно упрочняющаяся ковалентная связь, связь хемосорбированного атома с решеткой при этом ослабевает, локальный уровень CL ( см. рис. 2) подтягивается к зоне проводимости ( расстояние v на рис. 2 уменьшается) и электрон, локализованный на этом уровне, постепенно делокализуется. В итоге, после преодоления некоторого активационного барьера локальный уровень оказывается втянутым в зону проводимости, сидящий на нем электрон - полностью делокализованным, а связь между хемосорбированным атомом С и решеткой - разорванной. [59]