Глубокие энергетические уровни

Cтраница 1

Глубокие энергетические уровни играют в этом случае роль не рекомбинационных, а генерационных центров. Электроны из валентной зоны, обладающие достаточной энергией, переходят сначала на эти уровни, а от них - в зону проводимости, При этом на месте каждого электрона, перешедшего в зону проводимости, в валентной зоне остается одна дырка. Таким образом, как и при рекомбинации, генерация электронов и дырок происходит только попарно. Генерированные электроны перебрасываются электрическим полем перехода в n - область, а дырки - в р-об-ласть. Благодаря этому через переход течет так называемый генерационный ток / ген. [1]

Эвтектическая точка в двойной системе германий - индий и область существования твердых растворов германия в индии.| Диаграмма состояния системы германий - таллий. [2]

С элементами, вносящими глубокие энергетические уровни, кремний и германий образуют двойные системы. [3]

Причина в том, что атомы этих сверхтоксичных примесей действуют как двойные и тройные акцепторы, создающие глубокие энергетические уровни вблизи середины запрещенной зоны. У них энергия ионизации в десятки раз больше, чем у простых акцепторов, поэтому они являются весьма эффективными центрами рекомбинации - своеобразными ловушками, захватывающими носители тока и уничтожающими их. [4]

Размерная зависимость Тс. Для частиц А1 диаметром D.| Размерная зависимость Тс для частиц РЬ диаметром D. [5]

Вместе с тем Кавабата [830, 831] указал, что в сверхпроводимости принимают участие не только электроны вблизи уровня Ферми, но также и электроны более глубоких энергетических уровней. [6]

Диаграмма состояния системы германий - олово. [7]

Так же как и для кремния, встречающиеся в германии примеси можно разделить на нейтральные элементы, акцепторы, доноры и элементы, вызывающие появление в запрещенной зоне германия глубоких энергетических уровней. К нейтральным примесям в германии относятся инертные газы, водород, азот, кремний, олово и свинец. Такие элементы IV группы периодической системы Д. И. Менделеева, как титан, цирконий и гафний, по-видимому, также должны быть причислены к нейтральным примесям, однако проверенных экспериментальных сведений по этому вопросу пока нет. [8]

Для описания емкостных характеристик солнечных элементов на основе Cii2S - CdS ( при освещении и в темновых условиях) Ротворф [42] предложил другую физическую модель, согласно которой в запрещенной зоне CdS имеются глубокие энергетические уровни. Данные о их наличии получены с помощью измерений характеристик элементов методом емкостной спектроскопии глубоких уровней ( см. гл. При определенном напряжении, приложенном в прямом направлении, область, обедненная носителями заряда, отсутствует. [9]

III и V групп в кремнии, германии, карбиде кремния, примеси элементов II и VI групп в арсениде галлия, антимониде индия и других интерметаллидах типа Ащ By - Универсальными вредными примесями являются такие элементы, как медь, золото, железо, имеющие глубокие энергетические уровни. Влияние других возможных примесей практически не изучено. [10]

Наиболее сильно взаимодействие атомов сказывается на их внешних оболочках. Наоборот, расщепление глубоких энергетических уровней получается незначительным. [11]

Уравнение (35.5) называют уравнением Эйнштейна. Электроны, вырванные с более глубоких энергетических уровней или претерпевшие еще до выхода столкновения внутри вещества, будут иметь, очевидно, меньшую энергию. [12]

Блок-схема автоматического измерителя вольт-фарадных характеристик.| Эквивалентная схема импеданса солнечного элемента. [13]

При выполнении измерений вольт-фарадных характеристик частота сигнала должна принимать значения, при которых влияние протекающего тока на осцилляции заряда в области перехода максимально. Для некоторых типов солнечных элементов, которые содержат глубокие энергетические уровни ловушек, например элементов на основе Cii2S - CdS, частоту сигнала следует, наоборот, выбирать таким образом, чтобы не происходило возбуждения этих ловушек. В процессе измерений к солнечному элементу может быть приложено обратное или прямое напряжение смещения. Однако в режиме прямого смещения приложенное напряжение не должно превышать примерно 200 мВ, в противном случае проводимость элемента значительно возрастает. Дальнейшая обработка вольт-фарадных характеристик требует внесения в измеренные значения емкости поправки, связанной с влиянием проводимости. [14]

Схематическое изображение т - - потенциала. [15]

Страницы: 1 2 3