Cтраница 3
Излучение искусственных радиационных поясов Земли характеризуется следующими величинами: Z) - 105 Гр ( 107 рад / год), P-Q - l - - lQ - 3 А / кг. Таким образом, радиационная обстановка на борту околоземных космических объектов определяется в основном протонами внутреннего радиационного пояса и электронами искусственных радиационных поясов Земли. Рассмотрим основные эффекты, обусловливающие влияние радиации на электрофизические свойства полупроводниковых материалов. Под действием ИИ в кристаллической решетке полупроводников возникают различного рода дефекты, которые приводят к образованию энергетических уровней в запрещенной зоне. Ионизирующее излучение вызывает изменение таких электрофизических характеристик материала, как подвижность ц, время жизни носителей заряда т, концентрация электронов, диффузионная длина, что отражается на характеристиках приборов. Образование глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне вызывает увеличение скорости объемной рекомбинации ( § 1.6), т.е. уменьшение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике. [31]