Глубокие энергетические уровни
Cтраница 2
При таком подходе предполагается, что энергия электрона в изолированном атоме мало изменяется при построении кристалла из атомов. Естественно, что в таком приближении лучше учитываются состояния электронов более глубоких энергетических уровней, ответственных за образование химической связи, чем свободных электронов проводимости. Этот метод широко используется в квантовой химии под названием метода линейной комбинации атомных орбиталей ( ЛК. [16]
При таком подходе предполагается, что энергия электрона в изолированном атоме мало изменяется при построении кристалла из атомов. Естественно, что в таком приближении лучше учитываются состояния электронов более глубоких энергетических уровней, ответственных за образование химической связи, чем свободных электронов проводимости. [17]
 |
Схематическое изображение т - - потенциала. [18] |
При таком подходе предполагается, что энергия электрона в изолированном атоме мало изменяется при построении кристалла из атомов. Естественно, что в таком приближении лучше учитываются состояния электронов более глубоких энергетических уровней, ответственных за образование химической связи, чем свободных электронов проводимости. Этот метод широко используется в квантовой химии под названием метода линейной комбинации атомных орбиталей ( ЛК. [19]
Универсальными вредными примесями являются такие элементы, как Си, Аи, Fe, имеющие глубокие энергетические уровни. Влияние других возможных примесей практически не изучено. [20]
Универсальными вредными примесями являются такие элементы, как медь, золото, железо, имеющие глубокие энергетические уровни. Влияние других возможных примесей практически не изучено. [21]
Универсальными вредными примесями являются такие элементы, как Си, Аи, Fe, имеющие глубокие энергетические уровни. Влияние других возможных примесей практически не изучено. [22]
Ряд примесей, например золото ( Аи) в кремнии или хром ( Cr) BGaAs, образует в запрещенной зоне полупроводников глубокие энергетические уровни, обладающие большой энергией ионизации. Кроме того, глубокие уровни образуются вакансиями и комплексными точечными дефектами, состоящими, например, из вакансий и примесных атомов. Эти глубокие уровни являются центрами рекомбинации и генерации носителей. [23]
 |
Температурные зависимости давления паров р и скорости испарения Лт кремния ( а. [24] |
В большинстве случаев при изготовлении полупроводниковых и микроэлектронных приборов применяются кремний и германий, легированные малыми количествами электрически активных примесей. В зависимости от характера влияния примеси на тип электропроводности и концентрацию носителей заряда примесные элементы можно разделить на нейтральные элементы, акцепторы, доноры и элементы, вызывающие появление в запрещенной зоне кремния и германия глубоких энергетических уровней. [25]
 |
Температурные зависимости давления паров и скорости испарения кремния. [26] |
В большинстве случаев при изготовлении полупроводниковых приборов применяется кремний, легированный малыми количествами электрически активных примесей. В зависимости от характера влиянии примеси на тип электропроводности и концентрацию носителей заряда в кремнии примесные элементы можно разделить на нейтральные элементы, акцепторы, доноры и элементы, вызывающие появление в запрещенной зоне кремния глубоких энергетических уровней. [27]
Для электронных оболочек с малыми значениями энергии связи ширина линии оже-электронов составляет несколько электронвольт. При переходе от атома к твердому телу энергетические уровни внешних электронов расширяются в энергетические зоны с определенным распределением электронов по энергиям внутри каждой зоны. Более глубокие энергетические уровни не расширяются, ко их энергии смещаются на несколько электронвольт. Этот энергетический сдвиг определяется типом химической связи, в которой находится данный атом. Для внешних валентных электронных оболочек сдвиг по энергиям может существенно различаться из-за особенностей химической связи. Эти общие энергетические закономерности, наблюдаемые при переходе от отдельного атома к твердому телу, хорошо видны на примере, представленном на рис. 14.2. Наличие энергетических зон, а главное, распределение электронов по энергиям внутри каждой зоны, участвующей в данном оже-процессе, определяет не только ширину, но и форму линий оже-электронов, эмиттируемых твердым телом. [28]
Вытекающая из соотношения ( 1) линейная зависимость У Т от зарядового номера Z ( закон Мозелея) позволяет весьма наглядно иллюстрировать закономерные сдвиги уровней в изоэлектронных рядах. Такая иллюстрация, предложенная Уайтом [ 117 - i19 ], приведена на рис. 169 для группы уровней изоэлектронных рядов. От обычных графиков Мозелея ( см., например, рис. 107) графики Уайта отличаются тем, что возрастающие значения / т откладываются не в положительном, а в отрицательном направлении оси абсцисс. При этом получается привычное более низкое расположение глубоких энергетических уровней. [29]
Этот вид поглощения света связан с ионизацией или возбуждением примесных атомов. Поглощение фотонов вызывает переходы электронов донорных атомов в зону проводимости или же переход валентных электронов полупроводника на акцепторные уровни. Могут наблюдаться также переходы электронов примесных центров на энергетические уровни возбуждения этих атомов. Энергия ионизации примесных атомов веществ, которыми обычно легируются полупроводники, в десятки и сотни раз меньше ширины запрещенной зоны и лежит обычно в пределах сотых долей электронвольта. Поэтому спектр примесного поглощения располагается обычно за длинноволновой границей собственного поглощения. Спектры примесного поглощения охватывают широкие полосы частот, так как электроны донорных атомов при поглощении света могут переходить на свободные энергетические уровни в зоне проводимости, лежащие достаточно далеко от ее дна, а ионизация акцепторных атомов может происходить за счет перехода электронов с более глубоких энергетических уровней валентной зоны. [30]
Страницы: 1 2 3