Поверхностные уровни

Cтраница 1

Поверхностные уровни, так же как уровни примесей или дефектов, могут быть донорами или акцепторами электронов. Следовательно, они могут изменять, концентрацию носителей заряда. Через них может осуществляться рекомбинация носителей. [1]

Поверхностные уровни могут захватывать электроны и создавать большой отрицательный поверхностный заряд. Оно искривляет энергетические зоны вблизи поверхности кристалла. Искривление зон приводит к изменению работы выхода электронов и ряда других свойств. [2]

Поверхностные уровни на полупроводниках типа Ge образуются свободно торчащими s - орбитами, которые энергетически выгоднее р-о. Возможно, что данные Фролова и Раджабли [377], не нашедших различия в каталитической активности п - и p - Ge, дробленного в вакууме, по отношению к дегидрированию изо - С5Н7ОН, объясняются влиянием очень большого числа поверхностных состояний, образовавшихся при дроблении. [3]

Потенциал одномерной модели Кронига-Пенни, ограниченной с одного конца. [4]

Поверхностные уровни не являются дополнительными уровнями, возникающими сверх того числа, которое может содержать разрешенная зона. Они представляют собой дискретные уровни, отщепившиеся от соответствующих энергетических зон вследствие возмущения, вносимого свободной поверхностью. В качестве примера на рис. 9.2 показана схема образования поверхностных уровней для двухсторонне ограниченной цепочки, состоящей из восьми атомов. [5]

Поверхностные уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника, могут выступать в качестве центров захвата или рекомбинации. Поверхностная рекомбинация описывается аналогично рекомбинации через центры захвата в объемной модели Шокли - Рида. Однако вследствие большой плотности поверхностных состояний условия рекомбинации введенных носителей заряда на поверхности отличаются от условий рекомбинации в объеме. Рекомбинация носителей заряда на поверхности характеризуется величиной скорости поверхностной рекомбинации, которая связывает поток избыточных неосновных носителей заряда, направленный к поверхности, с концентрацией избыточных неосновных носителей заряда в приповерхностном слое. Рекомбинация избыточных носителей заряда на поверхности полупроводника приводит к истощению приповерхностных областей, даже когда избыточные пары генерируются равномерно по всему объему образца. Это вызывает диффузию избыточных носителей заряда из середины образца к активным поверхностям, которая продолжается пока концентрация избыточных носителей заряда в объеме отлична от нуля. [6]

Поверхностные уровни в зависимости от их природы могут захватывать электроны или дырки, которые в результате этого оказываются локализованными на поверхности полупроводника. Если, например, поверхностные уровни захватывают электроны, то поверхность полупроводника становится заряженной отрицательно, а в приповерхностном слое в силу электростатического взаимодействия локализованных на поверхности электронов с носителями заряда в объеме полупроводника возникает пространственный положительный заряд. Появление пространственного заряда приводит к возникновению электрического поля в этом слое и соответственно к искривлению энергетических зон. [7]

Поверхностные уровни Ландау могут возникать в металле при наложении магнитного поля, параллельного поверхности. Они проявляются в осцилляционной зависимости импеданса образца в СВЧ-диапазоне от магнитного поля. Параллельная поверхности компонента фер-миевской скорости электронов в скин-слое вызывает направленную по нормали эффективную силу, которая в свою очередь создает квантовые уровни, весьма похожие на уровни в инверсионных слоях. Рассеяние электронов магнитных поверхностных уровней в металлах [970, 1200, 1461, 1463] определяется механизмами, в значительной степени аналогичными тем, что действуют в-инверсионных и обогащенных слоях полупроводников. [8]

Более конкретные, поверхностные уровни анализа остаются сферой обитания альтернативных основному течению подходов: институционального, поведенческого, эволюционного, в меньшей степени посткейнсианского и неоавстрийского. Среди них принято выделять австрийскую теорию, посткейнсианство, институционализм, поведенческое направление, радикальную экономическую теорию, хотя четкую демаркационную линию между ними провести трудно и идеи некоторых экономистов укладываются не в одну, а в несколько школ сразу. Все эти направления имеют свои ассоциации и научные журналы, проводят конференции своих единомышленников. Однако по влиянию ( которое, например, можно измерить количеством опубликованных работ) все альтернативы вместе взятые далеко уступают основному течению. [9]

Отмеченные выше поверхностные уровни кластера искажают энергетическую картину в области верхушки валентной зоны и дна зоны проводимости, а именно эта часть энергетического спектра особенно существенна в задачах хемосорбции и катализа. [10]

Плотность поверхностных уровней в трехмерном кристалле определяется числом одномерных цепочек атомов, выходящих на единичную площадь поверхности. Она достигает величины 1015 - 1016 см-2. Их концентрация зависит от условий обработки поверхности. [11]

Зависимость электропроводности окиси цинка от времени. [12]

Существование других глубоких поверхностных уровней, как, например, уровней Тамма ( рассмотренных в предыдущей главе), было взято под сомнение после опытов Бивена и Эндер-сона [32] с окисью цинка, подвергнутой спеканию. [13]

Приняв концентрацию поверхностных уровней равной 5 1013 см 22, можно видеть, что, когда отношение поверхности к объему достигает величины порядка 103 см-1 или более, поверхностные уровни следует учитывать при анализе результатов измерений проводимости. [14]

Вольт-фарадные характе - у v. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5