Поверхностные уровни

Cтраница 3

Таким образом, наличие поверхностных уровней приводит к обогащению или обеднению приповерхностного слоя полупроводника основными носителями заряда, а при определенных условиях и к образованию инверсного слоя. [31]

Наличие на поверхности полупроводникового кристалла поверхностных уровней вызывает электронные переходы из валентной зоны на эти уровни или с поверхностных уровней в зону проводимости. [32]

Если, однако, заполнение поверхностных уровней не зависит от приложенного напряжения, то происходит смещение зависимости C ( U) по оси абсцисс. Это смещение характеризует заряд поверхностных уровней. Такие уровни могут присутствовать на границе раздела диэлектрик - полупроводник, но вне запрещенной зоны полупроводника, или в диэлектрике. [33]

Отсюда можно сделать вывод, что поверхностные уровни, обусловливающие проводимость, связаны исключительно с адсорбцией, что значительно упрощает проблему. [34]

Теоретически вопрос о сверхпроводимости при наличии поверхностных уровней впервые рассматривался в работе Гинзбурга и Кирж-нща [ з ], где качественно обсуждались различные стороны проблемы. [35]

Известно, что на поверхности германия существуют поверхностные уровни двух типов: рекомбинационные, с малым временем жизни, находящиеся на поверхности самого германия, и с большим временем жизни, находящиеся на внешней поверхности слоя окиси германия. Отсюда следует, что протеканию каталитической реакции способствуют рекомбинационные уровни, которые сравнительно легко могут отдавать или принимать электроны, создавая условия для адсорбции. В пользу того, что механизм взаимодействия молекул с поверхностью обусловлен изменением заполнения поверхностных уровней, говорит также и корреляция изменений Vk и электропроводности, замеченная нами и другими авторами. [36]

Это означает, что при большой плотности поверхностных уровней работа выхода у yv0 - и. Поэтому в полупроводниках с большой плотностью поверхностных уровней работа выхода х остается постоянной в широком интервале температур и но зависти от типа проводимости, несмотря на то, что положенно уровня Ферми в объеме существенно изменяется. [37]

Толщина слоя пространственного заряда зависит от плотности поверхностных уровней и от концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике. [38]

Тушение люминесценции приписывается образованию адсорбированными электроотрицательными молекулами поверхностных уровней захвата электронов, приводящих к снижению вероятности рекомбинации электронов с фотоионизованными центрами слоя. Разгорание потушенной люминесценции при длительном освещении объясняется фотодесорбцией адсорбированных тушащих молекул. [39]

Так как на поверхности полупроводника практически всегда имеются поверхностные уровни, то их заполнение электронами существенно влияет как на приповерхностный объемный заряд, так и на дифференциальную поверхностную емкость. Рассмотрим кратко их влияние. [40]

В зависимости от вероятности тех или иных переходов поверхностные уровни могут быть отнесены к категории донорных или акцепторных уровней, а на поверхности кристалла возникают электрические заряды той или иной полярности. [41]

Предполагается также, что интересующие нас адсорбированные вещества образуют поверхностные уровни только одного типа. При наличии поверхностных уровней других типов в теории возможен ряд изменений. [42]

Энергетическая схема полупроводника с поверхностными уровнями ( а. [43]

По таким же соображениям следовало бы ожидать, что поверхностные уровни сообщат металлические свойства поверхностному слою. Но пока не существует опытного подтверждения этого ожидания, возможно благодаря всякого рода несовершенствам поверхности, адсорбированным ионам и газам, нарушающим точный резонанс между уровнями отдельных поверхностных атомов и свободный их обмен электронами. [44]

Эту простую адсорбционную теорию надо видоизменить, если существуют другие поверхностные уровни. Когда поверхностная концентрация последних значительно превышает концентрацию адсорбируемых ионов, следует ожидать, что адсорбция будет происходить примерно так же, как на чистом металле, так как электронные переходы между различными адсорбционными уровнями будут преобладать над переходами между адсорбированными ионами и объемом полупроводника. Если же число этих уровней мало по сравнению с адсорбируемым количеством, адсорбционные характеристики будут соответствовать значениям, полученным из приведенной выше теории. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5