Поверхностные уровни

Cтраница 2

Если заполнение поверхностных уровней зависит от постоянного-напряжения, но не изменяется под действием переменного напряжения высокой частоты, что характерно для поверхностных уровней внутри запрещенной зоны полупроводника, то зависимость С ( / 7) искажается по форме и смещается вдоль оси абсцисс. [16]

Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. [17]

Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. В то же время для полупроводниковых кристаллов со значительно меньшей концентрацией пространственный заряд проникает достаточно глубоко в объем кристалла. Например, в германии с концентрацией поверхностных уровней - 10U см-2 и концентрацией носителей заряда в области собственной проводимости 1013 см-3 толщина слоя поверхностного заряда составляет - КГ1 - 10-а см. Следовательно, поверхностный заряд в полупроводнике распределяется между поверхностными уровнями и приповерхностным слоем, вследствие чего и изменяется электропроводность полупроводника. [18]

Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. [19]

Йа данном образце поверхностные уровни захвата, созданные адсорбцией О2, оказываются расположенными столь высоко, что не могут захватить электроны с локальных уровней атомов Zn. В результате вакантный уровень О2 на поверхности снижается достаточно низко, чтобы вызвать переход электрона и процесс тушения люминесценции, как описано выше. [20]

Определение зависимости изгиба зон от величины приложенного к структуре напряжения. [21]

Чем больше концентрация поверхностных уровней, тем больше носителей захватываются ими и тем меньше величина поверхностной электропроводности. [22]

Распределение плотности локализованных электронных состояний N в атактическом полистироле по энергиям V. ( Приведены металлы, при контакте с которыми происходит заполнение разных уровней.| Схемы статической электризации при разрыве контакта между двумя проводниками М ( а, при трении двух проводников ( б и проводника о диэлектрик Д ( в. [23]

На энергетический спектр поверхностных уровней локализации электронов в полимере влияют такие явления, как окисление, сорбция. Было найдено, что адсорбция кислорода увеличивает работу выхода, а адсорбция влаги снижает ее. Особую роль играет трение. [24]

Схема электронных переходов ZnO. Принимается, что центрами поглощения Ехс при фотоэффекте и люминесценции является Zn ( Zn2 - е и что испускание Ет возникает при рекомбинации с ними электронов из зоны проводимости. [25]

Фотодесорбция электроотрицательных молекул уничтожает поверхностные уровни захвата, приводившие к тушению люминесценции, и она возгорается. [26]

Структура р-я перехода в отсутствие ( а и при наличии ( б и в поверхностного канала. Базовая граница перехода показана точками. [27]

Заметим, что наличие поверхностных уровней не всегда сопровождается образованием канала. При недостаточной плотности этих уровней образуется только обедненный слой, что равносильно простому увеличению площади р-п перехода. Соответственно увеличатся и ток термогенерации, и тепловой ток; если последний превалирует ( у германиевых диодов), то зависимость обратного тока от напряжения будет отсутствовать. Тогда вблизи поверхности просто будет повышенное удельное сопротивление базы и, значит, в этой области ширина перехода будет больше, чем вдали от поверхности. [28]

Распределение плотности электронных состояний в твердом. [29]

Наиболее простой способ нахождения поверхностных уровней заключается в прямом измерении распределения электронных уровней и отборе тех из них, которые могут быть связаны с поверхностью. На рис. 2.12 показано распределение плотности электронных состояний в валентной зоне твердого тела. При подводе извне энергии ( облучение светом и т.п.) происходит испускание электронов, причем их кинетическая энергия имеет распределение В. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5