Резонансное условие

Cтраница 2

Спектр ЯМР этанола при напряженности постоянного магнитного поля 14 000 Э и частоте переменного поля 60 МГц. [16]

Поэтому для достижения резонансных условий внешнее поле должно быть больше, чем в отсутствие экранирования. Степень необходимого для резонанса увеличения поля зависит от величины а, которая, в свою очередь, связана с плотностью электронов вокруг ядра. Чем более электроотрицательно окружение, тем меньше оказывается электронная плотность вокруг ядра. Благодаря этому экранирование уменьшается, и протон приходит в состояние резонанса при более низкой напряженности поля. Если же ближайшее окружение электроположительно, то, наоборот, экранирование магнитного поля оказывается более эффективным и Я0 должна быть большей, для того чтобы создать в области протона эффективное поле ( Яэфф), соответствующее резонансу. Таким образом, чтобы обеспечить резонанс для разных групп протонов при фиксированной частоте переменного поля, необходимо изменять напряженность постоянного поля Яо. На рис. 7.4 представлено схематическое изображение спектра этанола. [17]

Возбуждение колебаний благодаря последнему резонансному условию возможно только при действии сил одновременно по нескольким ( в частности, по двум) координатам. При действии сил одновременно по более чем двум координатам такие возможности увеличиваются. Это легко установить аналогичным образом. [18]

Это и есть формулировка резонансного условия для плазмы в виде плоскопараллельного слоя. [19]

При выполнении одного из резонансных условий имеет место эффективный обмен энергий между частицами и полем электромагнитных волн. [20]

Условие (2.1) принято называть циклотронным резонансным условием. Оно обобщает условие черепковского резонанса на случай замагниченной плазмы. [21]

Действительно, в неоднородной плазме резонансное условие ио kv выполняется лишь в отдельных точках, а область в которой заряженные частицы эффективно ( резонансно) обмениваются энергией и импульсом с колебаниями, ограничена окрестностью этих точек. [22]

Первое и третье из этих резонансных условий совпадают с (8.53) и (8.54) и связаны с условием образования волн суммарной частоты; (8.70), как отмечалось выше, описывает только взаимодействие двух поперечных волн, распространяющихся в одном направлении, или искажение формы, профиля поперечной волны. [23]

Кривые поглощения ( V и дисперсии ( и. [24]

Кривая поглощения имеет максимум, отвечающий резонансному условию. Площадь под кривой пропорциональна М0 величине, связанной уравнением ( 20) с числом поглощающих ядер. [25]

При отсутствии селективного поглощения в резонаторе резонансным условием удовлетворяет множество гармоник и при возбуждении резонатора возникает многочастотный спектр. [26]

Недостатки, возникающие при работе в резонансных условиях, заключаются в повышении энергоемкости конвейеров при отклонениях фактической нагрузки от расчетной и при пуске конвейера. [27]

Схемы, иллюстрирующие возникновение резонанса на n - й гармонике. [28]

В схеме 1 - й гармоники предполагаем отсутствие резонансных условий; поэтому линейная часть цепи замещена индуктивным сопротивлением хг. В схеме n - й гармоники отсутствует источник напряжения. Поэтому в этой схеме каждая из сумм реактивных и активных сопротивлений должна быть равна нулю. [29]

Блок-схема системы.| Спектральная плотность ошибки е ( t. [30]

Страницы: 1 2 3 4