Резонансное условие

Cтраница 3

Пики спектра плотности мощности, указывающие на наличие резонансных условий, будут увеличивать этот момент и, в предположении, что входной сигнал и модель выхода не имеют сильных резонансных пиков частотной характеристики, такие резонансные условия будут связаны с системой обратной связи. В рассматриваемом методе адаптации для настройки параметров системы таким образом, чтобы минимизировать среднеквадратичную ошибку с сохранением удовлетворительной степени устойчивости, используется информация, получаемая от спектральной плотности ошибки системы. [31]

Описанное явление используется в аппаратуре ЯМР для стабилизации резонансных условий и для калибровки спектров высокого разрешения. Расстояние между центральным и боковыми сигналами, равное частоте модуляции, служит в этом случае масштабом для измерения расстояний между линиями спектра. [32]

Наиболее простой вид эти выражения имеют в случае резонансных условий, когда коэффициент прохождения плоской волны через данную структуру принимает максимальное значение ( ср. [33]

Подобные всплески высших гармоник обусловлены также и возникновением резонансных условий в контуре замыкания на землю на присутствующих в электрической сети высших гармониках. Поскольку резонансные частоты сильно зависят от места возникновения замыкания, а степень развития резонансных явлений зависит от добавочного активного сопротивления в месте замыкания, проявления высших гармоник оказываются весьма нестабильными, что ставит под сомнение достаточность с точки зрения надежности и селективности применения защит, реагирующих только на высшие гармоники. [34]

Наиболее простой вид эти выражения имеют в случае резонансных условий, когда коэффициент прохождения плоской волны через данную структуру принимает максимальное значение. [35]

Это относится, прежде всего, к устранению резонансных условий обработки, определяемых совпадением частоты действия возмущающей силы и собственной частоты системы. [36]

Вторая возможность заключается в прямом доказательстве справедливости для ферримагнетика общего резонансного условия (5.38), Исходя из одноионной модели анизотропии ( см. § 4.2), можно ожидать, что энергия анизотропии в большинстве случаев должна быть аддитивным свойством подрешеток. [37]

В общем случае поведение поперечного сечения рамановского рассеяния при резонансных условиях зависит от того, образуют ли промежуточные состояния континуум или нет. [38]

В длинноволновой части СВЧ-диапазона такие материалы используют лишь при резонансных условиях. [39]

Остаточный сигнал, полу. [40]

Одна из причин этого состоит в чувствительности л-импульсов к расстройке резонансных условий ( гл. Ее легко исключить, просто поместив несущую частоту точно иа измеряемую линию. Но из-за неоднородности поля В1 специфические остаточные сигналы все равно сохранятся ( рис. 7.2), и вам самостоятельно придется принимать решение о том, какая длительность импульса наиболее близка к искомой. При этом лучше всего учитывать среднюю часть линии сигнала, которая отражает поведение основного объема образца, и не обращать внимания на ее боковые части. [41]

Векторная диаграмма процессов в связанных резонансных контурах. [42]

Это и есть выражение закона Ома для первичного контура при резонансных условиях. [43]

Дополнительные два примера на рис. 5.10 показывают, как в результате резонансного условия (5.68) и условия (5.70) внутрь сепаратрисы может имплантироваться ограниченная часть паутины. [44]

Пусть теперь на образец действуют электромагнитные колебания, частота которых соответствует резонансным условиям для спинов Si. [45]

Страницы: 1 2 3 4