Подколпачное устройство - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если вам долго не звонят родственники или друзья, значит у них все хорошо. Законы Мерфи (еще...)

Подколпачное устройство

Cтраница 1


1 Схема подколпачного. [1]

Подколпачное устройство включает в себя также систему ионной очистки, установленную неподвижно в одной из позиций, систему нагрева подложек, датчики контроля сопротивления и толщины наносимой пленки. С увеличением числа позиций сокращается доля вспомогательного времени откачки, приходящегося на одну подложку.  [2]

3 Подколпачное устройство установки УВН. [3]

Подколпачное устройство ( рис. 87) предназначено для создания в рабочем объеме контролируемой среды и размещения исполнительных механизмов для напыления тонких металлических пленок на основания.  [4]

5 Схема подколпачного. [5]

Подколпачное устройство включает в себя также систему ионной очистки, установленную неподвижно в одной из позиций, систему нагрева подложек, датчики контроля сопротивления и толщины наносимой пленки. С увеличением числа позиций сокращается доля вспомогательного времени откачки, приходящегося на одну подложку.  [6]

Детали подколпачного устройства, вакуумных и химических насосов, фильтров а нрноп воды, клпикетов из специальных металлов и неметаллических материалов - окончательное фрезерование.  [7]

8 Внешний вид преобразователя с автономным цифровым отсчетным устройством.| Принципиальная схема измерений толщины покрытия весовым методом. [8]

Преобразователь помещается в подколпачное устройство вакуумной установки таким образом, чтобы плоскость диска 8 лежала на одном уровне с подложкой. Перед началом напыления фиксируется разностная частота струн.  [9]

К основным элементам подколпачного устройства относятся: испарители, маски, подложки, подложкодержа-тели и маскодержатели, нагреватели подложек, заслонки.  [10]

Основным материалом, используемым дЛя изготовления подколпачного устройства является нержавеющая сталь. В качестве электро - и теплоизолирующих мате-ралов используется керамика, алунд и стекло. Установка обеспечивает совмещение слоев напыляемых микросхем с погрешностью не более 0 01 мм.  [11]

Датчики 16 предназначены для контроля вакуума в подколпачном устройстве.  [12]

Источниками газовыделения являются десорбция газа с поверхности элементов подколпачного устройства и течи, через которые газ проникает извне.  [13]

Источниками газовыделения являются десорбция газа с поверхности элементов подколпачного устройства и течи, через которые газ проникает извне.  [14]

15 Держатель подложки. [15]



Страницы:      1    2    3