Cтраница 1
![]() |
Схема подколпачного. [1] |
Подколпачное устройство включает в себя также систему ионной очистки, установленную неподвижно в одной из позиций, систему нагрева подложек, датчики контроля сопротивления и толщины наносимой пленки. С увеличением числа позиций сокращается доля вспомогательного времени откачки, приходящегося на одну подложку. [2]
![]() |
Подколпачное устройство установки УВН. [3] |
Подколпачное устройство ( рис. 87) предназначено для создания в рабочем объеме контролируемой среды и размещения исполнительных механизмов для напыления тонких металлических пленок на основания. [4]
![]() |
Схема подколпачного. [5] |
Подколпачное устройство включает в себя также систему ионной очистки, установленную неподвижно в одной из позиций, систему нагрева подложек, датчики контроля сопротивления и толщины наносимой пленки. С увеличением числа позиций сокращается доля вспомогательного времени откачки, приходящегося на одну подложку. [6]
Детали подколпачного устройства, вакуумных и химических насосов, фильтров а нрноп воды, клпикетов из специальных металлов и неметаллических материалов - окончательное фрезерование. [7]
![]() |
Внешний вид преобразователя с автономным цифровым отсчетным устройством.| Принципиальная схема измерений толщины покрытия весовым методом. [8] |
Преобразователь помещается в подколпачное устройство вакуумной установки таким образом, чтобы плоскость диска 8 лежала на одном уровне с подложкой. Перед началом напыления фиксируется разностная частота струн. [9]
К основным элементам подколпачного устройства относятся: испарители, маски, подложки, подложкодержа-тели и маскодержатели, нагреватели подложек, заслонки. [10]
Основным материалом, используемым дЛя изготовления подколпачного устройства является нержавеющая сталь. В качестве электро - и теплоизолирующих мате-ралов используется керамика, алунд и стекло. Установка обеспечивает совмещение слоев напыляемых микросхем с погрешностью не более 0 01 мм. [11]
Датчики 16 предназначены для контроля вакуума в подколпачном устройстве. [12]
Источниками газовыделения являются десорбция газа с поверхности элементов подколпачного устройства и течи, через которые газ проникает извне. [13]
Источниками газовыделения являются десорбция газа с поверхности элементов подколпачного устройства и течи, через которые газ проникает извне. [14]
![]() |
Держатель подложки. [15] |